[發明專利]一種半導體發光器件的制備方法

在審

• 申請號: 202210186861.8
• 申請日: 2022-02-28
• 公開（公告）號: CN114551662A
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發明（設計）人: 徐平;許孔祥
• 申請（專利權）人: 湘能華磊光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/22
• 代理公司: 長沙七源專利代理事務所(普通合伙) 43214
• 代理人: 張勇;劉伊旸

1.一種半導體發光器件的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

提供藍寶石襯底；

對藍寶石襯底進行常規清洗處理后，將藍寶石襯底置入PECVD反應腔內，在藍寶石襯底的表面沉積多孔SiO₂薄膜，所述多孔SiO₂薄膜中小孔的直徑為1-5um，相鄰兩個小孔的圓心距離為2-10um；

將表面沉積有多孔SiO₂薄膜的藍寶石襯底置入ICP反應腔進行干法刻蝕，在藍寶石襯底的表面形成多個V形孔；所述V形孔沿垂直于藍寶石襯底所在平面的方向朝向所述藍寶石襯底凹陷，且沿垂直于藍寶石襯底所在平面的方向，所述V形孔的高度大于多孔SiO₂薄膜的厚度且小于藍寶石襯底的厚度；

將形成有多個V形孔的藍寶石襯底置入化學氣相沉積反應腔內，在藍寶石襯底表面形成有V形孔的一側沉積多孔立方氮化硼薄膜過渡層，所述多孔立方氮化硼過渡層中小孔的直徑為10-80nm，相鄰兩個小孔的圓心距離為20-100nm；所述多孔立方氮化硼過渡層的厚度為所述V形孔的高度的一半；

最后利用金屬有機化合物化學氣相沉淀法在藍寶石襯底表面形成有V形孔和多孔立方氮化硼過渡層的一側依次生長氮化鎵緩沖層、n型半導體層、多量子阱層、電子阻擋層和P型半導體層，獲得完全結構的外延片。

2.根據權利要求1所述的半導體發光器件的制備方法，其特征在于，所述對藍寶石襯底進行常規清洗處理的步驟，包括：

使用硫酸和雙氧水的混合溶液清洗藍寶石襯底5-10min，其中硫酸和雙氧水的體積比控制在4：1。

3.根據權利要求1所述的半導體發光器件的制備方法，其特征在于，沿垂直于所述藍寶石襯底所在平面的方向，所述SiO₂薄膜的厚度為500-1000nm。

4.根據權利要求1所述的半導體發光器件的制備方法，其特征在于，所述V型孔的周期為900-1200nm，孔徑為700-900nm，孔高為600-1200nm。

5.根據權利要求1所述的半導體發光器件的制備方法，其特征在于，所述多孔立方氮化硼過渡層的厚度為300-600nm。