[發(fā)明專利]封裝基板及其制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210183253.1 | 申請日： | 2022-02-25 |
| 公開（公告）號： | CN114666995A | 公開（公告）日： | 2022-06-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳先明;林文健;黃高;馮磊;馮進(jìn)東;黃本霞;張治軍 | 申請（專利權(quán)）人： | 珠海越亞半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 主分類號： | H05K3/30 | 分類號： | H05K3/30;H05K1/18 |
| 代理公司： | 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44205 | 代理人： | 俞梁清 |
| 地址： | 519175 廣東省珠海*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 封裝 及其 制作方法 | ||
1.一種封裝基板制作方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供內(nèi)層基板；
利用粘性感光材料在所述內(nèi)層基板的第一側(cè)表面加工得到具有粘性的第一絕緣介質(zhì)層；
將元器件貼裝在所述第一絕緣介質(zhì)層上；
利用感光封裝材料在所述內(nèi)層基板的第一側(cè)上加工得到第二絕緣介質(zhì)層，所述第二絕緣介質(zhì)層覆蓋所述元器件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝基板制作方法，其特征在于，所述粘性感光材料采用粘性感光膜，所述利用粘性感光材料在所述內(nèi)層基板的第一側(cè)表面加工得到具有粘性的第一絕緣介質(zhì)層，包括以下步驟：
將所述粘性感光膜貼裝在所述內(nèi)層基板的第一側(cè)表面上，得到所述第一絕緣介質(zhì)層；
或者，
所述粘性感光材料采用粘性感光液，所述利用粘性感光材料在所述內(nèi)層基板的第一側(cè)表面加工得到具有粘性的第一絕緣介質(zhì)層，包括以下步驟：
將所述粘性感光液涂覆在所述內(nèi)層基板的第一側(cè)表面上，得到所述第一絕緣介質(zhì)層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝基板制作方法，其特征在于，所述利用感光封裝材料在所述內(nèi)層基板的第一側(cè)上加工得到第二絕緣介質(zhì)層，包括以下步驟：
將所述感光封裝材料涂覆在所述內(nèi)層基板的第一側(cè)上，并覆蓋所述元器件，得到所述第二絕緣介質(zhì)層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝基板制作方法，其特征在于，所述內(nèi)層基板上設(shè)置有線路層，所述線路層上設(shè)置有至少一個連接點(diǎn)，所述內(nèi)層基板的第一側(cè)設(shè)置有貼附區(qū)，所述第一絕緣介質(zhì)層位于所述貼附區(qū)內(nèi)，所述制作方法還包括以下步驟：
通過曝光顯影的方式，在所述第二絕緣介質(zhì)層上加工得到第一盲孔；
或者，通過曝光顯影的方式，在所述第二絕緣介質(zhì)層上加工得到所述第一盲孔和第二盲孔；
其中，所述第一盲孔的位置與所述元器件的連接端子的位置對應(yīng)，所述第二盲孔的位置與所述線路層的連接點(diǎn)的位置對應(yīng)，且所述第一盲孔和所述第二盲孔均貫穿所述第二絕緣介質(zhì)層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝基板制作方法，其特征在于，所述內(nèi)層基板上設(shè)置有線路層，所述線路層上設(shè)置有至少一個連接點(diǎn)，所述制作方法還包括以下步驟：
通過曝光顯影的方式，在所述第二絕緣介質(zhì)層上加工得到第一盲孔；
或者，通過曝光顯影的方式，在所述第二絕緣介質(zhì)層上加工得到所述第一盲孔并在所述第一絕緣介質(zhì)層和第二絕緣介質(zhì)層上加工得到第二盲孔；
其中，所述第一盲孔的位置與所述元器件的連接端子的位置對應(yīng)，所述第二盲孔與所述連接層的連接點(diǎn)的位置對應(yīng)，所述第一盲孔貫穿所述第二絕緣介質(zhì)層，所述第二盲孔貫穿所述第一絕緣介質(zhì)層和所述第二絕緣介質(zhì)層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝基板制作方法，其特征在于，所述內(nèi)層基板上設(shè)置有線路層，所述制作方法還包括以下步驟：
通過圖形轉(zhuǎn)移和圖形電鍍的方式在所述第二絕緣介質(zhì)層上加工得到與所述線路層、所述元器件連接的外層線路；
或者，通過圖形轉(zhuǎn)移和圖形電鍍的方式在所述第二絕緣介質(zhì)層上和所述內(nèi)層基板的第二側(cè)上加工得到與所述線路層、所述元器件連接的外層線路。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的封裝基板制作方法，其特征在于，所述通過圖形轉(zhuǎn)移和圖形電鍍的方式在所述第二絕緣介質(zhì)層上加工得到與所述線路層、所述元器件連接的外層線路，包括以下步驟：
在所述第二絕緣介質(zhì)層上加工得到種子層；
通過感光遮蔽材料在所述種子層上加工得到與所述線路層、所述元器件連接的所述外層線路；
或者，所述通過圖形轉(zhuǎn)移和圖形電鍍的方式在所述第二絕緣介質(zhì)層上和所述內(nèi)層基板的第二側(cè)上加工得到與所述線路層、所述元器件連接的外層線路，包括以下步驟：
在所述內(nèi)層基板的第二側(cè)和所述第二絕緣介質(zhì)層上加工得到所述種子層；
通過感光遮蔽材料在所述種子層上加工得到與所述線路層、所述元器件連接的所述外層線路。
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