[發(fā)明專利]一種抑制負(fù)電容鰭式晶體管功函數(shù)變異影響的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210176512.8
• 申請(qǐng)日: 2022-02-25
• 公開（公告）號(hào): CN114551242A
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 呂偉鋒;郭夢(mèng)雪;趙孟杰;謝自強(qiáng);林彌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 杭州電子科技大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 杭州奧創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 33272
• 代理人: 王佳健

1.一種抑制負(fù)電容鰭式晶體管功函數(shù)變異影響的方法，其特征在于：在傳統(tǒng)的負(fù)電容鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管工藝上，增加了不同材料、厚度可調(diào)的雙層側(cè)墻的工藝步驟，具體是：

通過(guò)在源/漏極與柵極之間引入兩種不同介質(zhì)和不同厚度的雙層側(cè)墻，形成在靠近金屬柵極的一定區(qū)域內(nèi)同時(shí)引入high-k側(cè)墻和low-k側(cè)墻的結(jié)構(gòu)；

其中：

所述high-k側(cè)墻使得溝道耗盡程度加深，從而增加溝道的有效長(zhǎng)度和有效面積，用于抑制金屬柵極功函數(shù)隨機(jī)分布引起的閾值電壓提高柵極對(duì)溝道的控制性能；

所述low-k側(cè)墻用于負(fù)電容鰭式晶體管的寄生電容與串聯(lián)電阻。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種抑制負(fù)電容鰭式晶體管功函數(shù)變異影響的方法，其特征在于：在所述工藝步驟中先完成high-k側(cè)墻，其材質(zhì)為HfO₂，在源端high-k側(cè)墻和漏端high-k側(cè)墻的外側(cè)再沉積low-k側(cè)墻，其材質(zhì)為S_iO₂，從而構(gòu)成所述的雙層側(cè)墻。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種抑制負(fù)電容鰭式晶體管功函數(shù)變異影響的方法，其特征在于：所述的雙層側(cè)墻的厚度不超過(guò)負(fù)電容鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的總柵長(zhǎng)，雙層側(cè)墻的厚度超出柵極高度的11%。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種抑制負(fù)電容鰭式晶體管功函數(shù)變異影響的方法，其特征在于：所述的high-k側(cè)墻的厚度不超過(guò)low-k側(cè)墻的25%。