[發明專利]一種晶圓清洗裝置、晶圓清洗方法及太鼓環切設備

有效

• 申請號: 202210173184.6
• 申請日: 2022-02-24
• 公開（公告）號: CN114551303B
• 公開（公告）日: 2023-07-28
• 發明（設計）人: 高金龍;葛凡;周鑫;張寧寧;蔡國慶
• 申請（專利權）人: 江蘇京創先進電子科技有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02;H01L21/304;B08B3/02
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 汪莉萍

本發明屬于晶圓加工領域，公開了一種晶圓清洗裝置、晶圓清洗方法及太鼓環切設備。本發明在利用清洗組件對晶圓的上表面進行清洗的同時和/或之后，利用去水組件對晶圓下表面的指定區域進行去水處理，實現將晶圓搬運至太鼓環切設備的UV解膠裝置之前，對晶圓的下表面進行去水處理，使晶圓的下表面保持干燥狀態，實現在晶圓的下表面與UV解膠裝置的UV框架接觸后，通過微調機械手對晶圓進行對中調整時，實現晶圓下表面與UV框架的接觸面之間無水，無需增大微調機械手的力度，避免過大的外力作用于晶圓而對晶圓造成損傷。

技術領域

本發明涉及太鼓環切設備領域，尤其涉及一種晶圓清洗裝置、晶圓清洗方法及太鼓環切設備。

背景技術

采用太鼓環切設備對晶圓進行切割的流程如下：將晶圓搬運至環切工作臺上進行環切，再對晶圓進行清洗干燥，之后將晶圓搬運至UV照射臺進行UV照射，并配合微調機械手對晶圓進行精準對位，以準確解膠環切外環；再之后將晶圓搬運至取環工作臺，配合取環機械手去除解膠后的外環。

在太鼓環切設備對晶圓進行清洗時，主要是對晶圓的上表面進行吹洗，并通過吹氣的方式去除晶圓上表面粘附的水漬。但在對晶圓進行環切以及對晶圓的上表面進行清洗的過程中，不可避免地會有少量的水漬粘附在晶圓的背面。

在將晶圓搬運至UV照射臺之后，由于水滴的吸附性，晶圓背面的水滴將會把晶圓和UV照射臺上的UV框架吸附在一起，將會造成通過微調機械手對處于UV照射臺上的晶圓進行對中時，不便于通過微調機械手將晶圓調整至對中位置；此外，若需將晶圓調整至對中位置，則需要增大微調機械手的力度，微調機械手的力度過大極易導致晶圓破碎。

發明內容

本發明的目的在于提供一種晶圓清洗裝置、晶圓清洗方法及太鼓環切設備，能夠避免晶圓和UV框架吸附在一起，以對晶圓進行保護。

為達此目的，本發明采用以下技術方案：

一種晶圓清洗裝置，用于太鼓環切設備；包括：

清洗工作臺，所述清洗工作臺用于放置晶圓且能夠對所述晶圓進行固定；

清洗組件，用于對置于所述清洗工作臺上的所述晶圓的上表面進行清洗；

去水組件，用于在所述清洗組件工作的同時和/或之后對所述晶圓下表面的指定區域進行去水處理；所述指定區域至少包括所述晶圓的下表面上能夠與所述太鼓環切設備的UV解膠裝置的UV框架接觸的區域。

作為上述晶圓清洗裝置的一種可選技術方案，所述指定區域還包括所述晶圓下表面的邊緣區域；所述去水組件包括：

第一背面吹氣單元，所述第一背面吹氣單元位于所述清洗工作臺的下方，用于向所述指定區域吹氣。

作為上述晶圓清洗裝置的一種可選技術方案，所述清洗工作臺能夠繞其豎直軸線轉動，以使所述第一背面吹氣單元能夠吹掃到整個所述指定區域。

作為上述晶圓清洗裝置的一種可選技術方案，所述指定區域還包括所述晶圓下表面的邊緣區域。

作為上述晶圓清洗裝置的一種可選技術方案，所述晶圓清洗裝置還包括：

搬運單元，用于將所述清洗工作臺上的所述晶圓搬離所述清洗工作臺，使所述晶圓的下表面全部外露；

所述去水組件還包括：

第二背面吹氣單元，所述第二背面吹氣單元用于在所述晶圓的下表面全部外露時對所述晶圓下表面吹氣。

作為上述晶圓清洗裝置的一種可選技術方案，所述搬運單元還用于控制所述晶圓水平移動，以使所述第二背面吹氣單元能夠吹掃到所述晶圓的整個下表面。

作為上述晶圓清洗裝置的一種可選技術方案，所述去水組件還包括：

吸水單元，用于對所述晶圓的下表面進行吸水。