[發明專利]一種調節離子刻蝕均勻性的孔丁和方法在審
| 申請號： | 202210161610.4 | 申請日： | 2022-02-22 |
| 公開（公告）號： | CN114446745A | 公開（公告）日： | 2022-05-06 |
| 發明（設計）人： | 唐云俊;王昱翔 | 申請（專利權）人： | 浙江艾微普科技有限公司 |
| 主分類號： | H01J37/08 | 分類號： | H01J37/08 |
| 代理公司： | 嘉興啟帆專利代理事務所(普通合伙) 33253 | 代理人： | 丁鵬 |
| 地址： | 314400 浙江省*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 調節 離子 刻蝕 均勻 方法 | ||
1.一種調節離子刻蝕均勻性的孔丁，其特征在于：包括帽部和桿部，所述桿部的一端與帽部固定連接，所述桿部的側面設置有槽口。
2.根據權利要求1所述的調節離子刻蝕均勻性的孔丁，其特征在于：所述桿部連接于帽部上偏離帽部中心的位置。
3.根據權利要求2所述的調節離子刻蝕均勻性的孔丁，其特征在于：所述槽口的寬度等于柵網的金屬片的厚度。
4.根據權利要求3所述的離子調節刻蝕均勻性的孔丁，其特征在于：所述帽部的尺寸能夠覆蓋一個柵網的孔洞或相鄰的多個柵網的孔洞。
5.根據權利要求4所述的離子調節刻蝕均勻性的孔丁，其特征在于：所述帽部的截面呈圓形。
6.根據權利要求1-5中任意一項所述的離子調節刻蝕均勻性的孔丁，其特征在于：所述桿部上具有多個槽口，多個槽口沿桿部的長度方向均勻分布，相鄰兩個槽口的間距等于柵網的相鄰兩片金屬片的間距。
7.根據權利要求6所述的離子調節刻蝕均勻性的孔丁，其特征在于：所述帽部和桿部的材質為陶瓷或石英。
8.一種調節離子刻蝕均勻性的方法，其特征在于，包括如下步驟：
S1：采用離子源柵網刻蝕晶圓，獲得離子刻蝕厚度或速率分布數據；
S2：制備刻蝕厚度或速率T＝f(r/R)圖；
S3：根據T＝f(r/R)圖判讀是否滿足刻蝕均勻性的要求；
S4：如果滿足刻蝕均勻性的要求，則進入步驟S5；如果不滿足刻蝕均勻性的要求，則依照T＝f(r/R)圖，在刻蝕厚度較高處對應的離子源柵網位置，插入若干孔丁，然后返回步驟S1；
S5：結束調節。
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