[發明專利]一種改善晶圓翹曲變形的芯片結構及其制備方法

有效

• 申請號: 202210154384.7
• 申請日: 2022-02-21
• 公開（公告）號: CN114203648B
• 公開（公告）日: 2022-05-03
• 發明（設計）人: 劉永;馮浩;單建安
• 申請（專利權）人: 安建科技（深圳）有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/00;H01L21/56
• 代理公司: 深圳市千納專利代理有限公司 44218
• 代理人: 袁燕清

1.一種改善晶圓翹曲變形的芯片結構的制備方法，其特征在于，所述的制備方法包括如下步驟：

第一，在元胞溝槽和輔助溝槽內同時熱生長或淀積產生張應力或壓應力絕緣電介質薄膜；

第二，熱生長或淀積張應力或壓應力絕緣電介質薄膜后，元胞溝槽和輔助溝槽內填充壓應力或張應力的導電薄膜， 元胞溝槽會完全填滿壓應力或張應力的導電薄膜，而輔助溝槽因有更寬的尺寸而無法完全填滿；

第三，在元胞溝槽和輔助溝槽內填充壓應力或張應力的導電薄膜后，回刻器件區上表面的導電薄膜；

第四，回刻壓應力或張應力的導電薄膜后，熱生長或淀積張應力或壓應力層間絕緣電介質薄膜填充輔助溝槽；

所述的芯片包括有器件區和劃片道區，所述的器件區內設有元胞溝槽，所述的劃片道區包括有環所述的器件區的第一輔助溝槽區、第二輔助溝槽區、第三輔助溝槽區和第四輔助溝槽區，所述的第一輔助溝槽區、第二輔助溝槽區、第三輔助溝槽區和第四輔助溝槽區內均設有規則排列的輔助溝槽，所述的第一輔助溝槽區、第二輔助溝槽區、第三輔助溝槽區和第四輔助溝槽區的輔助溝槽的寬度大于或等于元胞溝槽寬度的兩倍。

2.如權利要求1所述的一種改善晶圓翹曲變形的芯片結構的制備方法，其特征在于，步驟一中的絕緣電介質薄膜厚度范圍0.01um~0.2um。

3.如權利要求1所述的一種改善晶圓翹曲變形的芯片結構的制備方法，其特征在于，步驟二中的導電薄膜厚度范圍0.1um~5um。

4.如權利要求1所述的一種改善晶圓翹曲變形的芯片結構的制備方法，其特征在于，步驟四中的層間絕緣電介質薄膜厚度范圍0.1um~2um。

5.如權利要求1所述的制備方法制備的一種改善晶圓翹曲變形的芯片結構, 其特征在于，所述的輔助溝槽的排列方向和元胞溝槽的排列方向平行或垂直。