[發明專利]一種復合轉光膜及其制備方法在審
| 申請號: | 202210142100.2 | 申請日: | 2022-02-16 |
| 公開(公告)號: | CN114603956A | 公開(公告)日: | 2022-06-10 |
| 發明(設計)人: | 李陽;游寶貴;陳馨媛 | 申請(專利權)人: | 閩都創新實驗室;廣東普加福光電科技有限公司 |
| 主分類號: | B32B27/32 | 分類號: | B32B27/32;B32B27/30;B32B27/06;B32B27/18;C08L23/06;C08K3/30;C08K3/32;C08J5/18;A01G9/14 |
| 代理公司: | 福州元創專利商標代理有限公司 35100 | 代理人: | 陳鼎桂;蔡學俊 |
| 地址: | 350108 福建省福州市*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 復合 轉光膜 及其 制備 方法 | ||
1.一種復合轉光膜,其特征在于,包括若干層高分子吹塑制得的薄膜,其中中間層為光轉換膜層,其他層為透光或保護功能的高分子薄膜;所述光轉換膜層由量子點色母粒、助劑與高分子基膜材料采用吹塑薄膜的方式制得。
2.根據權利要求1所述的一種復合轉光膜,其特征在于,所述高分子基膜材料為低密度聚乙烯、線性低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、聚丙烯、乙烯-醋酸乙烯樹脂和聚氯乙烯中的至少一種中的一種或幾種。
3.根據權利要求1所述的一種復合轉光膜,其特征在于,所述量子點為鈣鈦礦量子點、元素周期表II-VI族、III-V族、IV-VI族、或IV族半導體化合物制得的量子點或其對應的核殼結構量子點中的一種或幾種。
4.根據權利要求1所述的一種復合轉光膜,其特征在于,所述量子點在成膜材料中的濃度為0.01~5%。
5.根據權利要求1所述的一種復合轉光膜,其特征在于,所述助劑為乙烯基雙硬脂酰胺、硬脂酸鋅、硬脂酸季戊四醇酯、聚乙二醇、金屬氧化物、鈦酸酯偶聯劑和鋁酸酯偶聯劑等中的至少一種。
6.根據權利要求1所述的一種復合轉光膜,其特征在于,所述量子點光轉換中間膜層兩側含有一層或多層高透光性的保護層或封裝層。
7.根據權利要求7所述的一種復合轉光膜,其特征在于,所述保護層或封裝層含有有機和/或無機材料的一種或幾種。
8.根據權利要求1-7任一所述的一種復合轉光膜的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
1)將量子點、助劑1和高分子材料混合,通過造粒工藝制備得到量子點色母粒;
2)將量子點色母粒、助劑2和成膜高分子材料混合均勻后,通過吹膜工藝制得中間光轉換膜;
3)將助劑3和成膜高分子材料混合均勻后,與步驟2的材料同時通過多噴頭吹膜得到其他層;
4) 多噴頭吹膜的時候,步驟2的材料處在最中間噴頭來吹膜。
9.根據權利要求8所述的一種復合轉光膜的制備方法,其特征在于,所述助劑1、助劑2和助劑3分別為抗紫外劑、光擴散劑和抗氧劑。
10.根據權利要求8所述的一種復合轉光膜的制備方法,其特征在于,所述所述光膜層數為3、5、7或9層。
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