[發(fā)明專利]顯示面板及其制作方法、顯示裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210132234.6 | 申請(qǐng)日: | 2022-02-14 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN114551544A | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-05-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 毛奎;唐敏 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;H01L51/52;H01L27/12;H01L21/77;G09F9/33 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 熊明 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
本發(fā)明公開(kāi)了一種顯示面板及其制作方法、顯示裝置。其包括基板以及依次設(shè)置于基板上的薄膜晶體管層、第一電極層、像素定義層以及發(fā)光層:薄膜晶體管層包括器件層;第一電極層包括多個(gè)第一電極;像素定義層包括多個(gè)像素開(kāi)口,且一像素開(kāi)口對(duì)應(yīng)一第一電極設(shè)置;發(fā)光層包括設(shè)置于各像素開(kāi)口內(nèi)并位于對(duì)應(yīng)的第一電極上的發(fā)光像素;其中,器件層包括與像素開(kāi)口至少部分重疊設(shè)置的第一子部,且至少第一子部的厚度大于或等于6000埃,第一電極包括靠近像素定義層一側(cè)且對(duì)應(yīng)像素開(kāi)口設(shè)置的第一表面,且第一表面內(nèi)任意兩處的高度差值小于或等于4000埃。本發(fā)明可以提高第一電極的第一表面的平坦度,提高發(fā)光像素的良率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種顯示面板及其制作方法、及具有該顯示面板的顯示裝置。
背景技術(shù)
有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)顯示面板作為新型自發(fā)光顯示面板,其超清薄、柔軟、超強(qiáng)可設(shè)計(jì)性,同時(shí)采用有機(jī)半導(dǎo)體發(fā)光,材料可選擇范圍較寬,容易實(shí)現(xiàn)可見(jiàn)光范圍內(nèi)全色彩顯示。尤其是頂發(fā)射出光OLED顯示面板,具有大的開(kāi)口率等優(yōu)點(diǎn)被越來(lái)越廣泛的使用在各個(gè)領(lǐng)域。
具體地,OLED顯示面板包括設(shè)置于薄膜晶體管器件層上的有平坦層,設(shè)置于平坦層上的陽(yáng)極層、設(shè)置于陽(yáng)極層上的像素定義層以及設(shè)置于像素定義層上的發(fā)光層;其中,陽(yáng)極層包括多個(gè)陽(yáng)極,而像素定義層包括與多個(gè)陽(yáng)極一一對(duì)應(yīng)的多個(gè)像素開(kāi)口,發(fā)光層包括對(duì)應(yīng)各像素開(kāi)口設(shè)置于對(duì)應(yīng)陽(yáng)極上的發(fā)光像素。隨著OLED顯示面板對(duì)尺寸和分辨率要求的提高,薄膜晶體管器件層中的晶體管器件、金屬走線等的膜層厚度也越來(lái)越大,使得阻抗變小,以減小信號(hào)傳輸延遲。
但是,由于晶體管器件、金屬走線等的厚度變大,導(dǎo)致平坦層對(duì)應(yīng)晶體管器件、金屬走線等的位置可能出現(xiàn)凹凸不平的膜層形貌,導(dǎo)致設(shè)置于平坦層上的陽(yáng)極表面也無(wú)法做到平坦,而設(shè)置于陽(yáng)極表面的發(fā)光像素對(duì)于平坦度的要求極高,而目前的陽(yáng)極表面難以滿足平坦度的要求。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示面板及其制作方法、顯示裝置,能夠提高第一電極靠近發(fā)光像素一側(cè)的平坦度,提高發(fā)光像素的良率。
本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示面板,其包括:
基板;
薄膜晶體管層,設(shè)置于所述基板的一側(cè),并包括器件層;
第一電極層,設(shè)置于所述薄膜晶體管層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè),并包括多個(gè)第一電極;
像素定義層,設(shè)置于所述第一電極層遠(yuǎn)離所述薄膜晶體管層的一側(cè),并包括多個(gè)像素開(kāi)口,且一所述像素開(kāi)口對(duì)應(yīng)一所述第一電極設(shè)置;
發(fā)光層,包括設(shè)置于各所述像素開(kāi)口內(nèi)并位于對(duì)應(yīng)的所述第一電極上的發(fā)光像素;
其中,所述器件層包括與所述像素開(kāi)口至少部分重疊設(shè)置的第一子部,且至少所述第一子部的厚度大于或等于6000埃,所述第一電極包括靠近所述像素定義層一側(cè)且對(duì)應(yīng)所述像素開(kāi)口設(shè)置的第一表面,且所述第一表面內(nèi)任意兩處的高度差值小于或等于4000埃。
在本發(fā)明的一種實(shí)施例中,所述第一表面包括至少一第一凸起,且所述第一凸起與所述第一子部至少部分重疊設(shè)置。
在本發(fā)明的一種實(shí)施例中,所述顯示面板還包括設(shè)置于所述器件層與所述第一電極層之間的平坦層,且所述平坦層包括靠近所述第一電極層一側(cè)且與所述第一表面對(duì)應(yīng)設(shè)置的第二表面,所述第二表面內(nèi)任意兩處的高度差值小于或等于4000埃。
在本發(fā)明的一種實(shí)施例中,所述第二表面包括至少一第二凸起,且所述第二凸起在所述基板上正投影位于所述第一凸起在所述基板上的正投影的覆蓋范圍以內(nèi)。
在本發(fā)明的一種實(shí)施例中,所述第一凸起的高度以及所述第二凸起的高度皆小于或等于4000埃。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





