[發明專利]顯示面板及其制作方法、顯示裝置在審
| 申請號: | 202210132234.6 | 申請日: | 2022-02-14 |
| 公開(公告)號: | CN114551544A | 公開(公告)日: | 2022-05-27 |
| 發明(設計)人: | 毛奎;唐敏 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L27/12;H01L21/77;G09F9/33 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 熊明 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括:
基板;
薄膜晶體管層,設置于所述基板的一側,并包括器件層;
第一電極層,設置于所述薄膜晶體管層遠離所述基板的一側,并包括多個第一電極;
像素定義層,設置于所述第一電極層遠離所述薄膜晶體管層的一側,并包括多個像素開口,且一所述像素開口對應一所述第一電極設置;
發光層,包括設置于各所述像素開口內并位于對應的所述第一電極上的發光像素;
其中,所述器件層包括與所述像素開口至少部分重疊設置的第一子部,且至少所述第一子部的厚度大于或等于6000埃,所述第一電極包括靠近所述像素定義層一側且對應所述像素開口設置的第一表面,且所述第一表面內任意兩處的高度差值小于或等于4000埃。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第一表面包括至少一第一凸起,且所述第一凸起與所述第一子部至少部分重疊設置。
3.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板還包括設置于所述器件層與所述第一電極層之間的平坦層,且所述平坦層包括靠近所述第一電極層一側且與所述第一表面對應設置的第二表面,所述第二表面內任意兩處的高度差值小于或等于4000埃。
4.根據權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,所述第二表面包括至少一第二凸起,且所述第二凸起在所述基板上正投影位于所述第一凸起在所述基板上的正投影的覆蓋范圍以內。
5.根據權利要求4所述的顯示面板,其特征在于,所述第一凸起的高度以及所述第二凸起的高度皆小于或等于4000埃。
6.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述薄膜晶體管層包括設置于所述基板一側的多個薄膜晶體管,且所述第一子部包括所述薄膜晶體管的源極、漏極以及連接于所述薄膜晶體管的信號走線。
7.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,至少所述第一子部的厚度小于或等于8000埃。
8.一種顯示面板的制作方法,其特征在于,包括以下步驟:
提供基板;
在所述基板的一側形成薄膜晶體管層,所述薄膜晶體管層包括器件層,且所述器件層包括第一子部,至少所述第一子部的厚度大于或等于6000埃;
在所述薄膜晶體管層遠離所述基板的一側形成第一電極層,且所述第一電極層包括多個第一電極,所述第一電極遠離所述薄膜晶體管層的一側包括第一表面,且所述第一表面內任意兩處的高度差值小于或等于4000埃;
在所述第一電極層遠離所述薄膜晶體管層的一側形成像素定義層,所述像素定義層包括多個像素開口,所述像素開口與所述第一子部至少部分重疊設置,且一所述像素開口對應一所述第一電極的所述第一表面設置;
在所述像素定義層遠離所述第一電極層的一側形成發光層,所述發光層包括對應各所述像素開口設置于對應的所述第一電極上的多個發光像素。
9.根據權利要求8所述的顯示面板的制作方法,其特征在于,所述薄膜晶體管層包括多個薄膜晶體管,且所述在所述薄膜晶體管層遠離所述基板的一側形成第一電極層包括以下步驟:
在所述薄膜晶體管層遠離所述基板的一側形成平坦層,所述平坦層包括遠離所述薄膜晶體管層一側并對應所述像素開口設置的第二表面;
采用半透掩膜板在所述平坦層中形成多個開孔,并去除位于所述第二表面上的部分所述平坦層,以使得所述第二表面內任意兩處的高度差值小于或等于4000埃;
在所述平坦層遠離所述薄膜晶體管層的一側形成所述第一電極層,各所述第一電極通過所述開孔與所述薄膜晶體管搭接。
10.一種顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置包括如權利要求1至7任一項所述的顯示面板,或采用如權利要求8或9所述的顯示面板的制作方法制得的顯示面板。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司,未經深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202210132234.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





