[發明專利]布局緊湊的集成低噪聲放大器

在審

• 申請號: 202210128292.1
• 申請日: 2022-02-11
• 公開（公告）號: CN115987229A
• 公開（公告）日: 2023-04-18
• 發明（設計）人: 梁寶文;陸永輝;林嘉亮
• 申請（專利權）人: 瑞昱半導體股份有限公司
• 主分類號: H03F3/16
• 分類號: H03F3/16;H03F1/26;H03F1/12;H03F1/56
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

1.一種低噪聲放大器，包含：

一匹配網絡，用來于一輸入節點、一匹配節點與一源極節點之間提供三路耦合；

一柵極電容，用來于該匹配節點與一柵極節點之間提供交流耦合；

一迭接放大器，用來依據于該源極節點的源極衰減，于該柵極節點接收一柵極電壓以及于一輸出節點輸出一輸出電壓；以及

一負載網絡，耦接該輸出節點，其中該匹配網絡包含一旁接電感、一串接電感與一源極衰減電感，該旁接電感與該串接電感于一布局里重疊以具有強烈的互耦，該源極衰減電感是布局于該旁接電感旁以具有強烈的互耦。

2.如權利要求1所述的低噪聲放大器，其中該旁接電感與該串接電感是以一同心結構被布局。

3.如權利要求2所述的低噪聲放大器，其中該旁接電感與該串接電感均朝著同一向向外螺旋。

4.如權利要求3所述的低噪聲放大器，其中該源極衰減電感的一部分鄰接且平行于該旁接電感的一最尾段的一部分。

5.如權利要求1所述的低噪聲放大器，其中該迭接放大器包含一共源極級以及一共柵極級；該共源極級包含一第一N通道金屬氧化物半導體晶體管，該第一N通道金屬氧化物半導體晶體管用來依據于該源極節點的源極衰減，于該柵極節點接收該柵極電壓以及于一漏極節點輸出一漏極電壓；該共柵極級包含一第二N通道金屬氧化物半導體晶體管，該第二N通道金屬氧化物半導體晶體管用來于該漏極節點接收該漏極電壓以及于該輸出節點輸出該輸出電壓。

6.如權利要求5所述的低噪聲放大器，其中該迭接放大器進一步包含一直流耦合電阻，該直流耦合電阻用來將一第一偏壓電壓耦接至該柵極節點。

7.如權利要求5所述的低噪聲放大器，其中該迭接放大器進一步包含一直流耦合電阻，該直流耦合電阻被設置以跨接于該柵極節點與該漏極節點之間。

8.如權利要求1所述的低噪聲放大器，其中該負載網絡包含旁接連接的一負載電感與一負載電容。

9.如權利要求8所述的低噪聲放大器，其中該負載電容是依據于該輸入節點的一輸入電壓的一所在乎的頻率而被調整。

10.一低噪聲放大器，包含：

一旁接電感，用來將一輸入節點轉接至地；

一串接電感，用來將該輸入節點耦接至一匹配節點；

一源極衰減電感，用來將一源極節點耦接至地；

一柵極電容，用來將該匹配節點耦接至一柵極節點；

一迭接放大器，用來依據于該源極節點的源極衰減，于該柵極節點接收一柵極電壓以及于一輸出節點輸出一輸出電壓；以及

一負載網絡，耦接至該輸出節點，其中該旁接電感與該串接電感于一布局里重疊，以具有一強烈的互耦，該源極衰減電感是布局于該旁接電感旁以具有強烈的互耦。