[發(fā)明專利]發(fā)光二極管面板在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210117325.2 | 申請(qǐng)日: | 2022-02-08 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN114551417A | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-05-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 魏起;楊勇 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 武漢華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L25/075 | 分類號(hào): | H01L25/075;H01L33/60;G09F9/33 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 楊艇要 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光二極管 面板 | ||
本申請(qǐng)實(shí)施例公開(kāi)了一種發(fā)光二極管面板;第一反射墻設(shè)置在基板上,第一反射墻沿著第一方向延伸;第二反射墻設(shè)置在基板上,第二反射墻沿著第二方向延伸,第一反射墻與第二反射墻交叉設(shè)置形成多個(gè)反射腔;LED器件設(shè)置在反射腔內(nèi);LED器件在第一方向上具有第一發(fā)光角度,LED器件在第二方向上具有第二發(fā)光角度,第一發(fā)光角度大于第二發(fā)光角度;在第一方向上,LED器件的中心到第二反射墻的距離為第一距離;在第二方向上,LED器件的中心到第一反射墻的距離為第二距離;第一距離大于第二距離。本申請(qǐng)實(shí)施例的發(fā)光二極管面板根據(jù)LED器件不同的發(fā)光角度設(shè)置于不同距離的反射墻,以提高LED器件的正視亮度。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種發(fā)光二極管面板。
背景技術(shù)
在對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的研究和實(shí)踐過(guò)程中,本申請(qǐng)的發(fā)明人發(fā)現(xiàn),目前業(yè)界已經(jīng)針對(duì)發(fā)光二極管面板的光效取出采取了各種措施,比如在基板表面增加一層白色高反射率圍墻結(jié)構(gòu),可有效地利用發(fā)光二極管(Light-emitting Diode,LED)的大角度光線,收斂發(fā)光角度,從而提升LED面板的光效;但是由于Mini-LED器件在x和y方向上兩個(gè)維度的發(fā)光角度不同,使得LED器件的出光效率有待提高。
發(fā)明內(nèi)容
本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種發(fā)光二極管面板,可以提高出光效果。
本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種發(fā)光二極管面板,其包括:
基板;
第一反射墻,所述第一反射墻設(shè)置在所述基板上,所述第一反射墻沿著第一方向延伸;
第二反射墻,所述第二反射墻設(shè)置在所述基板上,所述第二反射墻沿著第二方向延伸,所述第一反射墻與所述第二反射墻交叉設(shè)置形成多個(gè)反射腔;
LED器件,所述LED器件設(shè)置在所述反射腔內(nèi);所述LED器件在所述第一方向上具有第一發(fā)光角度,所述LED器件在所述第二方向上具有第二發(fā)光角度,所述第一發(fā)光角度大于所述第二發(fā)光角度;
在所述第一方向上,所述LED器件的中心到所述第二反射墻的距離為第一距離;在所述第二方向上,所述LED器件的中心到所述第一反射墻的距離為第二距離;所述第一距離大于所述第二距離。
可選的,在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中,所述第一反射墻包括面向所述LED器件的第一側(cè)面,所述第一側(cè)面包括連接于所述基板的第一反射面;在沿著所述第二方向的垂直截面中,所述第一反射面的延伸軌跡為第一拋物線的部分;
在沿著所述第二方向的垂直截面中,所述第一反射面與所述基板具有第一交點(diǎn),所述第二距離為所述LED器件的中心到所述第一交點(diǎn)的距離;
所述第二反射墻包括面向所述LED器件的第二側(cè)面,所述第二側(cè)面包括連接于所述基板的第二反射面;在沿著所述第一方向的垂直截面中,所述第二反射面的延伸軌跡為第二拋物線的部分;
在沿著所述第一方向的垂直截面中,所述第二反射面與所述基板具有第二交點(diǎn),所述第一距離為所述LED器件的中心到所述第二交點(diǎn)的距離。
可選的,在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中,所述LED器件的中心同時(shí)位于所述第一拋物線和所述第二拋物線的焦點(diǎn)處。
可選的,在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中,所述第一拋物線的開(kāi)口小于所述第二拋物線的開(kāi)口。
可選的,在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中,所述第一拋物線滿足公式1:
y1=a1*x12+b1,a1>0,b1<0;所述第二拋物線滿足公式2:y2=a2*x22+b2,0<
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個(gè)單個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨(dú)容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨(dú)容器的器件





