[發明專利]一種低耗銀異質結太陽能電池的制作方法

在審

• 申請號: 202210116665.3
• 申請日: 2022-02-07
• 公開（公告）號: CN114497289A
• 公開（公告）日: 2022-05-13
• 發明（設計）人: 謝藝峰;黃巍輝;張超華
• 申請（專利權）人: 福建金石能源有限公司
• 主分類號: H01L31/20
• 分類號: H01L31/20;H01L31/18;H01L31/0224
• 代理公司: 北京中濟緯天專利代理有限公司 11429
• 代理人: 張娟娟

1.一種低耗銀異質結太陽能電池的制作方法，其特征在于：它的步驟為，

A、制備待形成金屬柵線的異質結太陽能電池；

B、采用含銀量為90％-97％的銀漿在經步驟A獲得的異質結太陽能電池的第一主面和第二主面分別形成第一銀漿電極細柵線和第二銀漿電極細柵線；

C、采用銀銅漿料、鎳漿、銅漿或含銀量為30％-60％的銀漿在經步驟B處理的異質結太陽能電池的第一主面和第二主面分別形成第一銀漿電極主柵線和第二銀漿電極主柵線。

2.根據權利要求1所述的低耗銀異質結太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述第一銀漿電極主柵線與第一銀漿電極細柵線橫縱交錯，使第一銀漿電極柵線的柵線呈網格狀；所述第二銀漿電極主柵線與第二銀漿電極細柵線橫縱交錯，使第二銀漿電極柵線的柵線呈網格狀。

3.根據權利要求1或2所述的低耗銀異質結太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述步驟A的具體方法為，

a1、在半導體基板的第一主面和第二主面上制絨，形成金字塔絨面；

a2、在經步驟a1處理后的半導體基板的第一主面和第二主面上分別沉積非晶硅層；

a3、在經步驟a2處理后的半導體基板的第一主面和第二主面上分別沉積第一透明導電薄膜層和第二透明導電薄膜層。

4.根據權利要求3所述的低耗銀異質結太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述步驟a1中，金字塔絨面寬度為2-15um，高度為2-13um。

5.根據權利要求3所述的低耗銀異質結太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述步驟a2的具體工序為，通過化學氣相沉積技術在半導體基板的第一主面上依次沉積第一本征非晶硅薄膜層、第一摻雜非晶硅薄膜層；通過化學氣相沉積技術在半導體基板的第二主面上依次沉積第二本征非晶硅薄膜層、第二摻雜非晶硅薄膜層；所述第一本征非晶硅薄膜層、第一摻雜非晶硅薄膜層、第二本征非晶硅薄膜層和第二摻雜非晶硅薄膜層的厚度分別為3-10nm。

6.根據權利要求5所述的低耗銀異質結太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述第一摻雜非晶硅薄膜層為N型非晶硅薄膜層，所述第二摻雜非晶硅薄膜層為P型非晶硅薄膜層。

7.根據權利要求5所述的低耗銀異質結太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述第一摻雜非晶硅薄膜層為P型非晶硅薄膜層，所述第二摻雜非晶硅薄膜層為N型非晶硅薄膜層。

8.根據權利要求3所述的低耗銀異質結太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述步驟a3的具體工序為，通過磁控濺射PVD、活化等離子濺射RPD或蒸鍍方式在經步驟a2處理后的半導體基板的第一主面和第二主面分別沉積第一透明導電薄膜層和第二透明導電薄膜層。

9.根據權利要求8所述的低耗銀異質結太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述第一透明導電薄膜層、第二透明導電薄膜層為氧化銦錫、摻鋁氧化鋅中的至少一種，厚度為30-150nm。