[發明專利]集成電路結構及其制造方法

在審

• 申請號: 202210107837.0
• 申請日: 2022-01-28
• 公開（公告）號: CN114823613A
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發明（設計）人: 陳萬得;陳重輝;陳威志
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種集成電路結構，其特征在于，包含：

一半導體基材；

一底部電極線路，位于該半導體基材上方；

一電容器結構，位于該底部電極線路上方，該電容器結構包含：

一底部金屬層；

一中間金屬層，位于該底部金屬層的上方；以及

一頂部金屬層，位于該中間金屬層的上方，其中當在一平面圖中觀察時，該頂部金屬層具有沿一第一方向延伸的多個相對直邊緣及連接該些相對直邊緣的多個相對方波形邊緣，該些方波形邊緣各包含沿垂直于該第一方向的一第二方向延伸的交替的多個第一區段及第二區段，以及各連接該些第一區段及第二區段中相鄰兩者的多個第三區段，其中該些第三區段沿該第一方向延伸；

一頂部電極線路，位于該電容器結構上方；

一第一金屬通孔，自該底部電極線路延伸至該頂部電極線路，該第一金屬通孔接觸該頂部金屬層以及該底部金屬層，且分離于該中間金屬層；以及

一第二金屬通孔，自該底部電極線路延伸至該頂部電極線路，該第二金屬通孔接觸該中間金屬層，且分離于該底部金屬層以及該頂部金屬層。

2.如權利要求1所述的集成電路結構，其特征在于，該第一金屬通孔與該頂部金屬層的該些直邊緣中的一第一者之間在一平面圖中的一距離在該第一金屬通孔的一最大尺寸的約0.1至1倍的一范圍內。

3.如權利要求1所述的集成電路結構，其特征在于，該中間金屬層具有多個相對直邊緣，該中間金屬層的該些直邊緣之間的一第一距離大于該頂部金屬層的該些直邊緣之間的一第二距離。

4.如權利要求1所述的集成電路結構，其特征在于，該電容器結構的該底部金屬層具有多個相對直邊緣以及在該底部金屬層的該些直邊緣之間延伸的多個相對方波形邊緣。

5.如權利要求1所述的集成電路結構，其特征在于，該電容器結構的該中間金屬層具有多個相對直邊緣及在該中間金屬層的該些相對直邊緣之間延伸的多個相對方波形邊緣。

6.一種集成電路結構，其特征在于，包含：

一半導體基材；

一第一電極線路，位于該半導體基材上方；

一第二電極線路，位于該第一電極線路上方；以及

一電容器結構，連接在該第一電極線路以及該第二電極線路之間，該電容器結構包含：

一第一金屬板，用于接收一第一電壓電勢，且具有沿一第一方向延伸的多個相對線性邊緣；以及

一第二金屬板，位于該第一金屬板上方，用于接收不同于該第一電壓電勢的一第二電壓電勢，且具有沿該第一方向延伸的多個相對線性邊緣，該第一金屬板的該些相對線性邊緣之間的一第一距離不同于該第二金屬板的該些相對線性邊緣之間的一第二距離。

7.如權利要求6所述的集成電路結構，其特征在于，該電容器結構還包含一第三金屬板，該第三金屬板位于該第二金屬板上方，且用于接收該第一電壓電勢。

8.如權利要求6所述的集成電路結構，其特征在于，該第一金屬板具有連接該第一金屬板的該些線性邊緣的一非線性邊緣，該非線性邊緣具有沿垂直于該第一方向的一第二方向配置的多個凹口。