[發明專利]一種腦電極器件的焊接方法及腦電極器件

在審

• 申請號: 202210104979.1
• 申請日: 2022-01-28
• 公開（公告）號: CN114406515A
• 公開（公告）日: 2022-04-29
• 發明（設計）人: 陶虎;周志濤;王雪迎
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海微系統與信息技術研究所
• 主分類號: B23K31/02
• 分類號: B23K31/02;A61B5/291;B23K101/36
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 王若愚

1.一種腦電極器件的焊接方法，其特征在于，包括：

獲取腦電信號采集器件和柔性電子電路；所述腦電信號采集器件具有第一待連接區域，所述柔性電子電路具有第二待連接區域；

基于所述第二待連接區域對應的目標尺寸，對所述第一待連接區域進行植球處理，得到目標植球；

將所述目標植球與所述第二待連接區域接觸，使得所述腦電信號采集器件和所述柔性電子電路連接，得到腦電極器件。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述將所述目標植球與所述第二待連接區域接觸，使得所述腦電信號采集器件和所述柔性電子電路連接，得到腦電極器件，包括：

倒扣所述腦電信號采集器件，使得所述目標植球與所述第二待連接區域接觸，使得所述腦電信號采集器件和所述柔性電子電路連接，得到所述腦電極器件。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述第二待連接區域對應的目標尺寸，對所述第一待連接區域進行植球處理，得到目標植球，包括：

根據所述第二待連接區域對應的所述目標尺寸，利用激光植球對所述第一待連接區域進行植球處理，得到所述目標植球。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述目標植球為型號為Sn42Bi58的焊球。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述目標植球的尺寸在區間[40μm,760μm]內。

6.一種腦電極器件，其特征在于，包括腦電信號采集器件和柔性電子電路；

所述腦電信號采集器件與所述柔性電子電路連接。

7.根據權利要求6所述的器件，其特征在于，所述腦電信號采集器件具有第一待連接區域，所述第一待連接區域上設有目標植球；

所述柔性電子電路具有第二待連接區域；

所述第一待連接區域通過所述目標植球與所述第二待連接區域連接，使得所述腦電信號采集器件與所述柔性電子電路連接。

8.根據權利要求6所述的器件，其特征在于，所述第一待連接區域包括：

粘附層；

阻擋層，所述阻擋層設置在所述粘附層上；

抗氧化層，所述抗氧化層設置在所述阻擋層上。

9.根據權利要求8所述的器件，其特征在于，所述粘附層的材料為鉻，所述阻擋層的材料為鎳，所述抗氧化層的材料為金。

10.根據權利要求8所述的器件，其特征在于，所述粘附層的材料為鈦，所述阻擋層的材料為鎢，所述抗氧化層的材料為金。