[發明專利]電介質組合物、電子部件及層疊電子部件

有效

• 申請號: 202210098626.5
• 申請日: 2022-01-27
• 公開（公告）號: CN114907114B
• 公開（公告）日: 2023-06-13
• 發明（設計）人: 村上拓;森崎信人;有泉琢磨;兼子俊彥;伊藤康裕
• 申請（專利權）人: TDK株式會社
• 主分類號: C04B35/468
• 分類號: C04B35/468;C04B35/47;C04B35/465;C04B35/49;C04B35/48;H01G4/30;H01G4/12
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 楊琦;丁哲音

本發明提供一種溫度特性、相對介電常數及高溫負荷壽命良好的電介質組合物等。電介質組合物包含主相粒子，所述主相粒子包含具有以通式ABOsubgt;3/subgt;表示的鈣鈦礦型晶體結構的主成分。主相粒子的至少一部分具有核殼結構。電介質組合物含有RA、RB、M及Si。A、B、RA、RB、M為選自特定的元素組中的1種以上的元素。在電介質組合物中，在將RA相對于主成分的含量以RAsubgt;2/subgt;Osubgt;3/subgt;換算設為Csubgt;RA/subgt;摩爾％，將RB相對于所述主成分的含量以RBsubgt;2/subgt;Osubgt;3/subgt;換算設為Csubgt;RB/subgt;摩爾％，且將核殼結構的殼部中的RA的平均含量設為Ssubgt;RA/subgt;摩爾％，并將RB的平均含量設為Ssubgt;RB/subgt;摩爾％的情況下，Ssubgt;RA/subgt;/Ssubgt;RB/subgt;＞Csubgt;RA/subgt;/Csubgt;RB/subgt;。

技術領域

本發明涉及一種電介質組合物、電子部件及層疊電子部件。

背景技術

近年來，尋求具有良好的溫度特性且在高溫·高電場下具有高可靠性的電介質組合物及具有該電介質組合物的電子部件及層疊電子部件。

在專利文獻1中記載有與以ABO₃為主成分的電介質陶瓷相關的發明。該電介質陶瓷中，將稀土元素分成二組，限定各自的添加量。其結果，得到溫度特性、相對介電常數及高溫負荷壽命優異的電介質陶瓷。

但是，目前尋求溫度特性、相對介電常數及高溫負荷壽命更良好的電介質組合物。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本專利第5541318號公報

發明內容

發明所要解決的技術問題

本發明是鑒于這樣的實際情況而研發的，其目的在于提供一種溫度特性、相對介電常數及高溫負荷壽命良好的電介質組合物等。

用于解決技術問題的技術方案

為了實現上述目的，本發明所涉及的電介質組合物包含主相粒子，所述主相粒子包含具有以通式ABO₃表示的鈣鈦礦型晶體結構的主成分，其中，

所述主相粒子的至少一部分具有核殼結構，

所述電介質組合物含有RA、RB、M及Si，

A為選自Ba、Sr及Ca中的至少1種，

B為選自Ti、Zr及Hf中的至少1種，

RA為選自Eu、Gd、Tb及Dy中的至少1種，

RB為選自Y、Ho及Yb中的至少1種，

M為選自Mg、Mn、V及Cr中的至少1種，

在所述電介質組合物中，將RA相對于所述主成分的含量以RA₂O₃換算設為C_RA摩爾％，將RB相對于所述主成分的含量以RB₂O₃換算設為C_RB摩爾％，

將所述核殼結構的殼部中的RA的平均含量設為S_RA摩爾％、將RB的平均含量設為S_RB摩爾％的情況下，

S_RA/S_RB＞C_RA/C_RB。

也可以包含所述主相粒子和偏析粒子，