[發(fā)明專利]表征套刻精度量測方法準(zhǔn)確性的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210097317.6
• 申請日: 2022-01-27
• 公開（公告）號: CN114296325A
• 公開（公告）日: 2022-04-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 錢睿;賴璐璐;劉碩;張聰
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;H01L21/66;H01L23/544
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 郭四華

1.一種表征套刻精度量測方法準(zhǔn)確性的方法，其特征在于，套刻精度量測方法采用前層套刻精度標(biāo)識以及當(dāng)前層套刻精度標(biāo)識進(jìn)行偏移測量得到套刻精度數(shù)據(jù)；套刻精度量測方法的準(zhǔn)確性的表征方法包括如下步驟：

步驟一、提供具有前層套刻精度標(biāo)識的晶圓，采用具有當(dāng)前層套刻精度標(biāo)識的光罩對所述晶圓進(jìn)行第一次曝光，所述第一次曝光會在所述晶圓上形成由光刻膠圖形組成的當(dāng)前層套刻精度標(biāo)識；

進(jìn)行第一次測量收集整片所述晶圓的套刻精度數(shù)據(jù)，得到最佳補(bǔ)值并將晶圓返工；

步驟二、選擇性地在N個shot上添加固定偏移量，并上傳到光刻機(jī)；

一個shot為一曝光單元，N為大于1的整數(shù)，所述晶圓上所包括的shot的數(shù)量大于N，令添加固定偏移量的所述shot為選定shot，未添加固定偏移量的所述shot為未選定shot；

步驟三、采用具有當(dāng)前層套刻精度標(biāo)識的所述光罩并結(jié)合所述第一次曝光時得到的最佳補(bǔ)值以及N個所述選定shot的固定偏移量對所述晶圓進(jìn)行第二次曝光；所述第二次曝光會在所述晶圓上形成由光刻膠圖形組成的當(dāng)前層套刻精度標(biāo)識；

進(jìn)行第二次測量收集整片所述晶圓的套刻精度數(shù)據(jù)；

步驟四、利用所述第二次測量中收集的各所述未選定shot的套刻精度量測值進(jìn)行模擬計(jì)算得到N個所述選定shot的套刻精度模擬值；

步驟五、將所述第二次測量中收集的各所述選定shot的套刻精度量測值減去步驟四中得到的各所述選定shot的套刻精度模擬值得到各所述選定shot的偏差值，通過各所述選定shot的固定偏移量和偏差值進(jìn)行點(diǎn)對點(diǎn)比較判斷套刻精度量測方法的準(zhǔn)確性。

2.如權(quán)利要求1所述表征套刻精度量測方法準(zhǔn)確性的方法，其特征在于，套刻精度量測方法包括：基于圖像套刻方法和基于衍射套刻方法。

3.如權(quán)利要求2所述表征套刻精度量測方法準(zhǔn)確性的方法，其特征在于：所述基于圖像套刻方法中所述前層套刻精度標(biāo)識和所述當(dāng)前層套刻精度標(biāo)識形成基于圖像套刻。

4.如權(quán)利要求2所述表征套刻精度量測方法準(zhǔn)確性的方法，其特征在于：所述基于衍射套刻方法中所述前層套刻精度標(biāo)識和所述當(dāng)前層套刻精度標(biāo)識形成基于衍射套刻。

5.如權(quán)利要求1所述表征套刻精度量測方法準(zhǔn)確性的方法，其特征在于：步驟一至步驟五在光刻當(dāng)站完成。

6.如權(quán)利要求1或2所述表征套刻精度量測方法準(zhǔn)確性的方法，其特征在于：步驟二中，通過子程序?qū)崿F(xiàn)選擇性地在N個所述選定shot上添加所述固定偏移量并上傳到所述光刻機(jī)。

7.如權(quán)利要求6所述表征套刻精度量測方法準(zhǔn)確性的方法，其特征在于：所述固定偏移量包括X方向固定偏移值和Y方向固定偏移值。

8.如權(quán)利要求7所述表征套刻精度量測方法準(zhǔn)確性的方法，其特征在于：各所述選定shot上添加的所述固定偏移量大小相同或不相同。

9.如權(quán)利要求6所述表征套刻精度量測方法準(zhǔn)確性的方法，其特征在于：所述子程序通過設(shè)置曝光區(qū)域內(nèi)旋轉(zhuǎn)設(shè)置所述固定偏移量。