[發明專利]一種半導體結構及制備方法與應用在審
| 申請號： | 202210097167.9 | 申請日： | 2022-01-27 |
| 公開（公告）號： | CN114497308A | 公開（公告）日： | 2022-05-13 |
| 發明（設計）人： | 呂振興;齊勝利;劉亞柱;趙耀;張麗 | 申請（專利權）人： | 寧波安芯美半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/24 | 分類號： | H01L33/24;H01L33/38;H01L33/32;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海漢之律師事務所 31378 | 代理人： | 周婷婷 |
| 地址： | 315300 浙江省寧波市寧波杭州*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體 結構 制備 方法 應用 | ||
1.一種半導體結構的制備方法，其特征在于，至少包括以下步驟：
提供一襯底；
在所述襯底上形成半導體外延層，且所述半導體外延層包括依次設置的第一類型半導體層、量子阱層和第二類型半導體層；
通入第一類型氣體，刻蝕所述半導體外延層一側的第二類型半導體層、量子阱層以及預設厚度的第一類型半導體層；
通入第二類型氣體，刻蝕修復刻蝕后的所述第一類型半導體層，形成修復層；
在所述修復層上形成第一電極；以及
在所述第二類型半導體層上形成第二電極。
2.根據權利要求1所述的一種半導體結構的制備方法，其特征在于，所述第一電極的形成步驟包括：在所述修復層上形成第一歐姆接觸層。
3.根據權利要求2所述的一種半導體結構的制備方法，其特征在于，且所述第一歐姆接觸層包括依次設置的鉻層、鋁層、鈦層、鎳層和金層。
4.根據權利要求2所述的一種半導體結構的制備方法，其特征在于，所述第一電極的形成步驟包括：在所述第一歐姆接觸層上形成第一加厚金屬層，且所述第一加厚金屬層暴露所述部分第一歐姆接觸層。
5.根據權利要求4所述的一種半導體結構的制備方法，其特征在于，所述第一電極的形成步驟包括：在所述第一歐姆接觸層上形成第一電極層，且所述第一加厚金屬層環繞所述第一電極層。
6.根據權利要求1所述的一種半導體結構的制備方法，其特征在于，所述在襯底上形成半導體外延層的步驟還包括：在所述第二類型半導體層上形成帽層。
7.根據權利要求1所述的一種半導體結構的制備方法，其特征在于，所述第一類型半導體層刻蝕的預設厚度為200-1000nm。
8.根據權利要求1所述的一種半導體結構的制備方法，其特征在于，所述第二類型氣體為CHF3、CF4、SF6中的一種或多種混合氣體。
9.根據權利要求1所述的一種半導體結構的制備方法，其特征在于，所述刻蝕修復時間為100-3000s。
10.一種半導體結構，其特征在于，至少包括:
襯底；
第一類型半導體層，形成于所述襯底上；
量子阱層，形成于所述第一半類型導體層上；
第二類型半導體層，形成于所述量子阱層上；
第一電極，與所述第一類型半導體層連接；
第二電極，與所述第二類型半導體層連接；以及
修復層，形成于所述第一類型半導體層上，且位于第一類型半導體層和所述第一電極之間。
11.一種電子裝置，其特征在于，至少包括權利要求10所述的一種半導體結構。
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