[發(fā)明專利]一種硅基組件的互連測(cè)試夾具及互連測(cè)試方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210095052.6
• 申請(qǐng)日: 2022-01-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114414978A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-04-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 潘鵬輝;吳道偉;姚華;唐磊;薛宇航
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西安微電子技術(shù)研究所
• 主分類號(hào): G01R31/26
• 分類號(hào): G01R31/26;G01R1/04
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 61200
• 代理人: 房鑫

1.一種硅基組件的互連測(cè)試夾具，其特征在于，包括：托盤(25)，托盤(25)上設(shè)置有測(cè)試區(qū)域(17)，測(cè)試區(qū)域(17)上設(shè)置有真空吸附孔(22)，真空吸附孔(22)連接真空氣閥，測(cè)試區(qū)域(17)的相鄰兩邊上分別設(shè)置有Y軸限位擋塊(18)和X軸限位擋塊(19)，托盤(25)還分別設(shè)置有X軸限位千分尺(14)、測(cè)試區(qū)域Z平面調(diào)節(jié)器(15)和Y軸限位千分尺(16)，測(cè)試區(qū)域Z平面調(diào)節(jié)器(15)連接測(cè)試區(qū)域(17)，X軸限位千分尺(14)和Y軸限位千分尺(16)分別連接X(jué)軸限位擋塊(19)和Y軸限位擋塊(18)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅基組件的互連測(cè)試夾具，其特征在于，所述托盤(25)上設(shè)置有分別用于調(diào)節(jié)Y軸限位擋塊(18)和X軸限位擋塊(19)的Y軸限位擋塊調(diào)節(jié)器(20)和X軸限位擋塊調(diào)節(jié)器(21)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅基組件的互連測(cè)試夾具，其特征在于，所述托盤(25)上設(shè)置有托盤上軌道邊(23)和托盤下軌道邊(24)，托盤上軌道邊(23)和托盤下軌道邊(24)分別位于托盤(25)兩端。

4.一種使用權(quán)利要求1～3任意一項(xiàng)所述的硅基組件的互連測(cè)試夾具的硅基組件的互連測(cè)試方法，其特征在于，包括：

步驟一：將被測(cè)件放置在測(cè)試區(qū)域(17)的真空吸附孔(22)上，通過(guò)Y軸限位擋塊(18)、X軸限位擋塊(19)和測(cè)試區(qū)域Z平面調(diào)節(jié)器(15)調(diào)節(jié)測(cè)試區(qū)域(17)的三維位置，并通過(guò)X軸限位千分尺(14)和Y軸限位千分尺(16)明確其所在位置；

步驟二：測(cè)試系統(tǒng)校驗(yàn)完成后裝載被測(cè)件，將被測(cè)件所在的測(cè)試夾具，通過(guò)掃描對(duì)位點(diǎn)，整體移入到測(cè)試系統(tǒng)；

步驟三：根據(jù)被測(cè)件進(jìn)行測(cè)試設(shè)置；

步驟四：測(cè)試執(zhí)行，根據(jù)設(shè)置的測(cè)試條件采用隔離技術(shù)進(jìn)行直流和交流特性測(cè)試；

步驟五：測(cè)試結(jié)果在閾值內(nèi)判定后輸出結(jié)果；

步驟六：卸載被測(cè)件。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種硅基組件的互連測(cè)試方法，其特征在于，步驟一中，測(cè)試區(qū)域Z平面調(diào)節(jié)器(15)使被測(cè)件的上表面和夾具保持水平，Y軸限位擋塊(18)、X軸限位擋塊(19)在X-Y平面上固定測(cè)試區(qū)域(17)。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種硅基組件的互連測(cè)試方法，其特征在于，步驟四中的測(cè)試設(shè)置包括：加載測(cè)試程序、設(shè)置測(cè)試參數(shù)，測(cè)試參數(shù)包括選定測(cè)試項(xiàng)目、設(shè)定測(cè)試條件、測(cè)試閾值和測(cè)試接觸壓力。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種硅基組件的互連測(cè)試方法，其特征在于，步驟五中，測(cè)試執(zhí)行具體包括開(kāi)路測(cè)試、短路測(cè)試、接觸測(cè)試、電源－地阻抗測(cè)試和信號(hào)-地阻抗測(cè)試。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種硅基組件的互連測(cè)試方法，其特征在于，測(cè)試時(shí)機(jī)選擇在芯片與硅轉(zhuǎn)接板焊接后而未進(jìn)行底部填充前。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種硅基組件的互連測(cè)試方法，其特征在于，采用低彈力彈簧探針，配合軟著陸技術(shù)進(jìn)行測(cè)試。

10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種硅基組件的互連測(cè)試方法，其特征在于，步驟一中通過(guò)校準(zhǔn)板對(duì)測(cè)試系統(tǒng)電壓/電流/電容激勵(lì)和檢測(cè)的正確性和精度進(jìn)行校驗(yàn)。