[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的形成方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210094605.6 | 申請日： | 2022-01-26 |
| 公開（公告）號： | CN114883257A | 公開（公告）日： | 2022-08-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 翁翊軒;李威養(yǎng);林家彬 | 申請（專利權(quán)）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8234 | 分類號： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人： | 黃艷 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 裝置 形成 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置的形成方法，包括：
形成自一基板凸起的一第一鰭狀物，且該第一鰭狀物包括一第二納米結(jié)構(gòu)于一第一納米結(jié)構(gòu)上；
形成一絕緣結(jié)構(gòu)，以橫向圍繞該第一鰭狀物；
移除該第一鰭狀物的一部分，并形成一邊界結(jié)構(gòu)于該第一鰭狀物中；
形成一虛置柵極于該第一鰭狀物上，且該虛置柵極與該邊界結(jié)構(gòu)的一邊緣重疊；
蝕刻一凹陷于與該虛置柵極相鄰的該第一鰭狀物中，且該凹陷露出該第一納米結(jié)構(gòu)與該第二納米結(jié)構(gòu)；
蝕刻一側(cè)壁凹陷于該第一納米結(jié)構(gòu)中；
沉積一第一內(nèi)側(cè)間隔物層于該虛置柵極之上、該凹陷之中、與該側(cè)壁凹陷之中，且該第一內(nèi)側(cè)間隔物層具有一第一熱膨脹系數(shù)；
沉積一第二內(nèi)側(cè)間隔物層于該虛置柵極之上、該凹陷之中、與該側(cè)壁凹陷之中，且該第二內(nèi)側(cè)間隔物層具有一第二熱膨脹系數(shù)；
冷卻該第一內(nèi)側(cè)間隔物層與該第二內(nèi)側(cè)間隔物層；以及
蝕刻該第一內(nèi)側(cè)間隔物層與該第二內(nèi)側(cè)間隔物層，以形成一第一內(nèi)側(cè)間隔物與一第二內(nèi)側(cè)間隔物于該側(cè)壁凹陷中。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
