[發明專利]一種自注入單縱模調Q激光器在審
| 申請號： | 202210083660.5 | 申請日： | 2022-01-25 |
| 公開（公告）號： | CN114122879A | 公開（公告）日： | 2022-03-01 |
| 發明（設計）人： | 嚴雄偉;高松;鄭建剛;肖凱博;蔣新穎;張君;薛嶠;龍蛟;吳鎮海;張雄軍 | 申請（專利權）人： | 中國工程物理研究院激光聚變研究中心 |
| 主分類號： | H01S3/07 | 分類號： | H01S3/07;H01S3/08;H01S3/0941;H01S3/115;H01S3/131 |
| 代理公司： | 北京同輝知識產權代理事務所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 趙丹 |
| 地址： | 621999*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 注入 單縱模調 激光器 | ||
1.一種自注入單縱模調Q激光器，其特征在于，包括左右依次排列的尾纖LD泵浦源、光纖耦合器、低摻雜增益介質微片、增益介質、偏振片、電光開關、1/4波片以及輸出腔鏡，所述低摻雜增益介質微片包括鍍有泵浦波長增透/激光波長高反的雙色膜層的前表面和雙色分光膜層的后表面。
2.根據權利要求1所述的一種自注入單縱模調Q激光器，其特征在于，所述低摻雜增益介質微片前表面鍍泵浦波長增透/激光波長高反的雙色膜層，后表面鍍泵浦波長增透/激光波長確定反射率的雙色分光膜層。
3.根據權利要求1所述的一種自注入單縱模調Q激光器，其特征在于，所述低摻雜增益介質微片厚度為0.5mm-1mm。
4.根據權利要求1所述的一種自注入單縱模調Q激光器，其特征在于，所述低摻雜增益介質微片的摻雜元素為Nd或Yb中的一種，摻雜濃度0.1at%。
5.根據權利要求1所述的一種自注入單縱模調Q激光器，其特征在于，所述低摻雜增益介質微片外接高精度熱電制冷片來調節溫度。
6.根據權利要求1所述的一種自注入單縱模調Q激光器，其特征在于，所述增益介質的摻雜元素與低摻雜增益介質微片的摻雜元素一致，介質長度和摻雜濃度基于低摻雜增益介質微片的參數特征進行設計，需要保證盡可能吸收微片透過的剩余泵浦光能量。
7.根據權利要求1所述的一種自注入單縱模調Q激光器，其特征在于，所述增益介質外接高精度熱電制冷片來調節溫度。
8.根據權利要求1所述的一種自注入單縱模調Q激光器，其特征在于，所述增益介質前后表面均鍍雙色高透膜。
9.根據權利要求1所述的一種自注入單縱模調Q激光器，其特征在于，所述激光器整體外接高精度熱電制冷片來調節溫度。
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