[發(fā)明專利]顯示面板及其制造方法、顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210081153.8 | 申請日: | 2022-01-24 |
| 公開(公告)號: | CN114497415A | 公開(公告)日: | 2022-05-13 |
| 發(fā)明(設計)人: | 于池;張微;石博;周瑞;石佺 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京三高永信知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11138 | 代理人: | 雷思鳴 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 及其 制造 方法 顯示裝置 | ||
本申請公開了一種顯示面板及其制造方法、顯示裝置,屬于顯示技術領域。該顯示面板包括:基板以及位于基板上的像素界定層、陰極選擇層和陰極層。在像素界定層中的一排像素開口內(nèi),第一像素開口與第二像素開口之間的最小距離大于第一像素開口與第三像素開口之間的最小距離。由于陰極選擇層中的陰極選擇塊排布在第一像素開口與第二像素開口之間,且第一像素開口與第二像素開口之間的距離較大。因此,在第一像素開口與第二像素開口之間排布的陰極選擇塊的尺寸較大。如此,可以保證顯示面板中的陰極選擇層在基板上的正投影的面積較大,進而可以保證顯示面板中的陰極層在基板上的正投影的面積較小,有效的提高了顯示面板的透光性。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,特別涉及一種顯示面板及其制造方法、顯示裝置。
背景技術
隨著科技的發(fā)展,顯示裝置中的顯示面板通常需要具有一定的透光性。
在一種場景下,顯示裝置可以為全面屏的顯示裝置,顯示裝置中諸如光線傳感器和距離傳感器等感光傳感器需要位于顯示面板的背面(也即與顯示面板的顯示面相對的一面),為了不影響感光組件的正常工作,需要保證顯示面板中與感光組件相對的區(qū)域具有一定的透光性。在另一種場景下,顯示裝置可以為透明顯示裝置,顯示裝置中的顯示面板內(nèi)所有區(qū)域均需要具有一定的透光性。
然而,目前的顯示面板的透光性較差,導致顯示裝置的可靠性較差。
發(fā)明內(nèi)容
本申請實施例提供了一種顯示面板及其制造方法、顯示裝置。可以解決現(xiàn)有技術的顯示面板的透光性較差的問題,所述技術方案如下:
一方面,提供了一種顯示面板,包括:
基板;
位于所述基板上的像素界定層,所述像素界定層具有多個陣列排布的像素開口,在一排所述像素開口中,第一像素開口與第二像素開口之間的最小距離大于所述第一像素開口與第三像素開口之間的最小距離,所述第一像素開口為一排所述像素開口中的任一像素開口,所述第二像素開口與所述第三像素開口為一排所述像素開口中與所述第一像素開口相鄰的兩個像素開口;
以及,位于所述像素界定層遠離所述基板一側的陰極選擇層和陰極層,所述陰極層具有鏤空部分,所述陰極選擇層在所述基板上的正投影與所述鏤空部分在所述基板上的正投影至少部分重合;
其中,所述陰極選擇層包括:多個陰極選擇塊,所述陰極選擇塊在所述基板上的正投影與所述像素開口在所述基板上的正投影不重合,且所述陰極選擇塊位于所述第一像素開口與所述第二像素開口之間。
可選的,所述第一像素開口在所述基板上的正投影的中心點與所述第二像素開口在所述基板上的正投影的中心點之間的距離,大于所述第一像素開口在所述基板上的正投影的中心點與所述第三像素開口在所述基板上的正投影的中心點之間的距離。
可選的,多個所述像素開口包括:多個第一類像素開口和多個第二類像素開口;
所述陰極選擇塊位于一列所述第一類像素開口中的所述第一像素開口與所述第二像素開口之間,且位于一行所述第二類像素開口中的所述第一像素開口與所述第二像素開口之間。
可選的,同一列所述第一類像素開口中的各個所述第一類像素開口在所述基板上的正投影的中心點,以及一列所述陰極選擇塊在所述基板上的正投影的中心點共線;同一行所述第二類像素開口中的各個所述第二類像素開口在所述基板上的正投影的中心點,以及一行所述陰極選擇塊在所述基板上的正投影的中心點共線。
可選的,所述顯示面板還包括:位于所述像素界定層和所述陰極層之間的發(fā)光層,所述發(fā)光層包括:與多個所述像素開口一一對應的多個發(fā)光塊;
其中,所述像素開口在所述基板上的正投影位于對應的發(fā)光塊在所述基板上的正投影內(nèi),且所述像素開口在所述基板上的正投影的中心點與對應的發(fā)光塊在所述基板上的正投影的中心點不重合。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
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