[發明專利]發光面板和顯示裝置在審
| 申請號: | 202210080026.6 | 申請日: | 2022-01-24 |
| 公開(公告)號: | CN114373778A | 公開(公告)日: | 2022-04-19 |
| 發明(設計)人: | 林美虹;王宇超 | 申請(專利權)人: | 廈門天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;G09F9/33 |
| 代理公司: | 北京晟睿智杰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
| 地址: | 361101 福建*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 面板 顯示裝置 | ||
1.一種發光面板,其特征在于,包括至少兩個發光基板,至少兩個所述發光基板拼接設置,每個所述發光基板包括多個發光單元,所述發光基板包括發光區和圍繞所述發光區設置的非發光區,所述發光單元位于所述發光區;
所述發光區至少包括第一發光區和第二發光區,所述第二發光區位于所述第一發光區靠近所述發光面板的拼接位置的一側;
所述第二發光區中的所述發光單元的排布密度小于所述第一發光區中的所述發光單元的排布密度。
2.根據權利要求1所述的發光面板,其特征在于,所述第二發光區中相鄰兩個所述發光單元之間的間距大于所述第一發光區中相鄰兩個所述發光單元之間的間距。
3.根據權利要求1所述的發光面板,其特征在于,所述第二發光區包括多個子區,沿所述第一發光區指向所述第二發光區的方向,各個所述子區中所述發光單元的排布密度逐漸減小。
4.根據權利要求3所述的發光面板,其特征在于,沿所述第一發光區指向所述第二發光區的方向,各個所述子區中相鄰兩個所述發光單元之間的間距逐漸增大。
5.根據權利要求4所述的發光面板,其特征在于,沿所述第一發光區指向所述第二發光區的方向,所述第二發光區包括相鄰的三個所述子區,三個所述子區分別為第一子區、第二子區和第三子區,所述第二子區位于所述第一子區遠離所述第一發光區的一側,所述第三子區位于所述第二子區遠離所述第一發光區的一側;
沿所述第一發光區指向所述第二發光區的方向,所述第一子區中相鄰兩個所述發光單元之間的間距為D1,所述第二子區中相鄰兩個所述發光單元之間的間距為D2,所述第三子區中相鄰兩個所述發光單元之間的間距為D3,D3-D2=D2-D1;或者D3/D2=D2/D1。
6.根據權利要求1所述的發光面板,其特征在于,所述第一發光區中所述發光單元的排布密度相同,相鄰兩個所述發光單元之間的間距相等。
7.根據權利要求1所述的發光面板,其特征在于,所述發光基板包括第一邊緣,所述第一邊緣位于所述發光面板的拼接位置;
所述第一邊緣的形狀為非直線結構。
8.根據權利要求7所述的發光面板,其特征在于,
所述第一邊緣的形狀包括鋸齒形、蛇形中的一種。
9.根據權利要求7所述的發光面板,其特征在于,所述第一邊緣包括多個相連的第一子邊緣,至少兩個相連的所述第一子邊緣形成所述發光基板的一個凸起部;
在所述凸起部內,沿所述發光區指向所述第一子邊緣的方向,所述第二發光區中相鄰兩個所述發光單元之間的間距逐漸增大。
10.根據權利要求7所述的發光面板,其特征在于,所述第一邊緣為鋸齒形;
在所述第二發光區內,多個所述發光單元沿第一方向排列形成一個發光單元列;
相鄰兩個所述發光單元列中,一個所述發光單元列中包括多個第一顏色發光單元和多個第二顏色發光單元,多個所述第一顏色發光單元和多個所述第二顏色發光單元沿所述第一方向交替設置;另一個所述發光單元列中包括多個沿所述第一方向依次排列的第三顏色發光單元;
在所述第一方向上,所述第三顏色發光單元位于相鄰的所述第一顏色發光單元和所述第二顏色發光單元之間。
11.根據權利要求1所述的發光面板,其特征在于,所述發光單元包括發光元件,所述發光元件連接有驅動晶體管,所述驅動晶體管的柵極連接驅動信號線;所述驅動信號線為所述發光元件提供驅動電流。
12.根據權利要求11所述的發光面板,其特征在于,
所述第一發光區內的所述發光元件向所述發光基板的正投影的面積與所述第二發光區內的所述發光元件向所述發光基板的正投影的面積相同;
所述驅動信號線為所述第二發光區中的所述發光元件提供的驅動電流大于所述驅動信號線為所述第一發光區中的所述發光元件提供的驅動電流。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





