[發明專利]一種低溫下制備高純度酞菁的方法在審
| 申請號： | 202210064200.8 | 申請日： | 2022-01-20 |
| 公開（公告）號： | CN114315843A | 公開（公告）日： | 2022-04-12 |
| 發明（設計）人： | 鄭瑋;彭雨新 | 申請（專利權）人： | 南京艾姆材料科技有限公司 |
| 主分類號： | C07D487/22 | 分類號： | C07D487/22 |
| 代理公司： | 新余市渝星知識產權代理事務所(普通合伙) 36124 | 代理人： | 廖平 |
| 地址： | 211500 江蘇省南京市江北新區寧六路60*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 低溫 制備 純度 方法 | ||
1.一種低溫下制備高純度酞菁的方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：
取適量鄰苯二甲腈類化合物和適量六甲基二硅基氨基鋰溶解在溶劑中；
充入惰性氣體保護，并維持低溫環境反應若干時間；
加入醇類進行淬滅反應，抽濾沖洗后得到酞菁類化合物。
2.根據權利要求1所述的一種低溫下制備高純度酞菁的方法，其特征在于：反應的化學方程式為：
3.根據權利要求2所述的一種低溫下制備高純度酞菁的方法，
其特征在于：所述鄰苯二甲腈類化合物，包括如下化學式：
其中，R為鹵素、硝基、烷基、芳基、羥基、巰基、烷氧基、芳氧基、烷巰基和芳巰基中的一種或多種。
4.根據權利要求3所述的一種低溫下制備高純度酞菁的方法，其特征在于：所述溶劑包括四氫呋喃和2-甲基四氫呋喃中的一種或兩種按任意比例混合。
5.根據權利要求4所述的一種低溫下制備高純度酞菁的方法，其特征在于：所述惰性氣體包括包括氮氣、氦氣、氖氣、氬氣、氪氣、氙氣和氡氣中的一種或多種。
6.根據權利要求5所述的一種低溫下制備高純度酞菁的方法，其特征在于：所述鄰苯二甲腈類化合物的濃度范圍為0.2～0.3mol/L，所述六甲基二硅基氨基鋰加入量是鄰苯二甲腈類化合物的1～2倍。
7.根據權利要求1至6任一項所述的一種低溫下制備高純度酞菁的方法，其特征在于：反應溫度控制在-60～0℃，反應時間控制在0.5～2h。
8.根據權利要求7所述的一種低溫下制備高純度酞菁的方法，其特征在于：所述醇類包括甲醇和叔丁醇中的一種或多種。
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