[發明專利]一種高次模抑制的太赫茲波導探針過渡結構

有效

• 申請號: 202210063543.2
• 申請日: 2022-01-20
• 公開（公告）號: CN114497950B
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發明（設計）人: 張勇;魏浩淼;李祥;陳陽
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01P5/107
• 分類號: H01P5/107;H01P3/08
• 代理公司: 電子科技大學專利中心 51203
• 代理人: 鄧黎

1.一種高次模抑制的太赫茲波導探針過渡結構，包括太赫茲減高波導、襯底、屏蔽腔和E面微帶探針結構，所述襯底的一部分插入太赫茲減高波導，另一部分位于屏蔽腔內部，所述E面微帶探針結構置于襯底上方，包括依次連接的位于太赫茲減高波導內部的E面探針和位于屏蔽腔內部的匹配結構及微帶線；其特征在于，所述太赫茲波導探針過渡結構還包括多個位于襯底和E面微帶探針結構之間的架空結構，以支撐E面探針和微帶線，所述架空結構為平行于太赫茲減高波導信號傳輸方向的長條形金屬。

2.根據權利要求1所述高次模抑制的太赫茲波導探針過渡結構，其特征在于，所述架空結構的長度為0.5w～2.5w，其中，w為所支撐的E面探針或微帶線的寬度。

3.根據權利要求1所述高次模抑制的太赫茲波導探針過渡結構，其特征在于，相鄰架空結構之間的間距為1/20λ～1/4λ，其中，λ為所支撐的E面探針或微帶線的工作波長。