[發(fā)明專利]控制芯片的方法及裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210055651.5
• 申請(qǐng)日: 2022-01-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114492286A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-05-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 杜夢(mèng)昕;劉利元
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: OPPO廣東移動(dòng)通信有限公司
• 主分類號(hào): G06F30/392
• 分類號(hào): G06F30/392;H01L27/02;H01L27/118
• 代理公司: 北京布瑞知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11505
• 代理人: 張欣

本申請(qǐng)披露了一種控制芯片的方法及設(shè)備，所述方法包括：從芯片中讀取第一工藝參數(shù)，所述第一工藝參數(shù)用于指示所述芯片的工藝；根據(jù)所述第一工藝參數(shù)，確定所述芯片的焊盤驅(qū)動(dòng)器的第一驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度；將所述焊盤驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度配置為所述第一驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，使得所述焊盤驅(qū)動(dòng)器的輸出阻抗與承載所述芯片的電路板的走線阻抗匹配。本申請(qǐng)能夠根據(jù)芯片工藝確定芯片的焊盤驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，使得焊盤驅(qū)動(dòng)器的輸出阻抗與承載芯片的電路板走線阻抗相匹配，避免芯片工藝波動(dòng)帶來(lái)阻抗不匹配的問(wèn)題。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及芯片領(lǐng)域，具體涉及一種控制芯片的方法及裝置。

背景技術(shù)

在設(shè)計(jì)芯片時(shí)，焊盤驅(qū)動(dòng)器的輸出阻抗應(yīng)當(dāng)與承載芯片的電路板的走線阻抗相匹配，以滿足信號(hào)完整性的要求。但是，芯片工藝存在波動(dòng)，芯片工藝的波動(dòng)會(huì)影響焊盤驅(qū)動(dòng)器的輸出阻抗，從而導(dǎo)致焊盤驅(qū)動(dòng)器的輸出阻抗和電路板的走線阻抗存在阻抗不匹配的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N控制芯片的方法及裝置，以解決芯片工藝波動(dòng)帶來(lái)阻抗不匹配的問(wèn)題。

第一方面提供一種控制芯片的方法，所述方法包括從芯片中讀取第一工藝參數(shù)，所述第一工藝參數(shù)用于指示所述芯片的工藝；根據(jù)所述第一工藝參數(shù)，確定所述芯片的焊盤驅(qū)動(dòng)器的第一驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度；將所述焊盤驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度配置為所述第一驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，使得所述焊盤驅(qū)動(dòng)器的輸出阻抗與承載所述芯片的電路板的走線阻抗匹配。

可選地，所述根據(jù)所述第一工藝參數(shù)，確定所述芯片的焊盤驅(qū)動(dòng)器的第一驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，包括：根據(jù)所述第一工藝參數(shù)和所述焊盤驅(qū)動(dòng)器的第二驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，確定所述焊盤驅(qū)動(dòng)器的第一驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，其中，所述第二驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度是基于所述電路板的走線阻抗確定的。

可選地，所述根據(jù)所述第一工藝參數(shù)和所述焊盤驅(qū)動(dòng)器的第二驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，確定所述焊盤驅(qū)動(dòng)器的第一驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，包括：根據(jù)所述第一工藝參數(shù)和所述焊盤驅(qū)動(dòng)器的第二驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，通過(guò)查詢預(yù)先存儲(chǔ)的映射關(guān)系信息，確定所述第一驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，其中，所述映射關(guān)系信息包含所述第一工藝參數(shù)、所述第一驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度以及所述第二驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度三者之間的映射關(guān)系。

可選地，所述將所述焊盤驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度配置為所述第一驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，包括：將所述第一驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度的取值編程至所述芯片的端口控制電路的寄存器中。

可選地，所述第一工藝參數(shù)是從所述芯片的熔斷模塊中讀取的。

可選地，所述第一工藝參數(shù)指示所述第一芯片的工藝角。

可選地，所述芯片為基帶芯片。

第二方面提供一種控制芯片的裝置，所述裝置包括：存儲(chǔ)器，用于存儲(chǔ)指令；

處理器，用于執(zhí)行所述指令，以執(zhí)行如下操作：從芯片中讀取第一工藝參數(shù)，所述第一工藝參數(shù)用于指示所述芯片的工藝；根據(jù)所述第一工藝參數(shù)，確定所述芯片的焊盤驅(qū)動(dòng)器的第一驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度；將所述焊盤驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度配置為所述第一驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，使得所述焊盤驅(qū)動(dòng)器的輸出阻抗與承載所述芯片的電路板的走線阻抗匹配。

可選地，所述根據(jù)所述第一工藝參數(shù)，確定所述芯片的焊盤驅(qū)動(dòng)器的第一驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，包括：根據(jù)所述第一工藝參數(shù)和所述焊盤驅(qū)動(dòng)器的第二驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，確定所述焊盤驅(qū)動(dòng)器的第一驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，其中，所述第二驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度是基于所述電路板的走線阻抗確定的。

可選地，所述根據(jù)所述第一工藝參數(shù)和所述焊盤驅(qū)動(dòng)器的第二驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，確定所述焊盤驅(qū)動(dòng)器的第一驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，包括：根據(jù)所述第一工藝參數(shù)和所述焊盤驅(qū)動(dòng)器的第二驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，通過(guò)查詢預(yù)先存儲(chǔ)的映射關(guān)系信息，確定所述第一驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，其中，所述映射關(guān)系信息包含所述第一工藝參數(shù)、所述第一驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度以及所述第二驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度三者之間的映射關(guān)系。

可選地，所述將所述焊盤驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度配置為所述第一驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，包括：將所述第一驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度的取值編程至所述芯片的端口控制電路的寄存器中。

可選地，所述第一工藝參數(shù)是從所述芯片的熔斷模塊中讀取的。