[發(fā)明專利]一種淺刻蝕多模干涉耦合的多通道平頂型波分復用接收器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210054062.5
• 申請日: 2022-01-18
• 公開（公告）號: CN114637072B
• 公開（公告）日: 2023-10-13
• 發(fā)明（設計）人: 戴道鋅;賀江豪;劉大建;朱明愚
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: G02B6/12
• 分類號: G02B6/12;G02B6/122
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 林超

1.一種淺刻蝕多模干涉耦合的多通道平頂型波分復用接收器，其特征在于：包括輸入波導(1)、錐形輸入波導(2)、淺刻蝕多模干涉耦合器結構(3)、n條錐形輸出波導(a₁-a_n)和n條輸出波導(b₁-b_n)；所述的輸入波導(1)一端和錐形輸入波導(2)較窄的一端相連，錐形輸入波導(2)較寬的一端和淺刻蝕多模干涉耦合器結構(3)的輸入端相連，由輸入波導(1)和錐形輸入波導(2)構成光波收集單元；各條錐形輸出波導(a₁-a_n)較寬的一端和淺刻蝕多模干涉耦合器結構(3)輸出端相連，所述的錐形輸出波導(a₁-a_n)較窄的一端與各自的輸出波導(b₁-b_n)一端相連，由淺刻蝕多模干涉耦合器結構(3)和各條錐形輸出波導(a₁-a_n)成解復用單元；各條輸出波導(b₁-b_n)另一端與n個相同的探測器相連，由各條輸出波導(b₁-b_n)和n個探測器構成光波探測單元。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種淺刻蝕多模干涉耦合的多通道平頂型波分復用接收器，其特征在于：所述的輸入波導(1)、錐形輸入波導(2)、淺刻蝕多模干涉耦合器結構(3)、錐形輸出波導(a₁-a_n)和輸出波導(b₁-b_n)均包括硅基襯底(4)、掩埋氧化層(5)、硅基結構層(7)和上包層(6)，其中掩埋氧化層(5)生長于硅基襯底(4)的上表面，上包層(6)覆蓋掩埋氧化層(5)的上表面，硅基結構層(7)水平生長于掩埋氧化層(5)的上表面，掩埋氧化層(5)上面和硅基結構層(7)周圍均設置上包層(6)進行包覆。

3.根據(jù)權利要求2所述的一種淺刻蝕多模干涉耦合的多通道平頂型波分復用接收器，其特征在于：所述的硅基結構層(7)是由兩個硅層層疊成脊形構成。

4.根據(jù)權利要求1所述的一種淺刻蝕多模干涉耦合的多通道平頂型波分復用接收器，其特征在于：所述的錐形輸出波導(a₁-a_n)和錐形輸入波導與淺刻蝕多模干涉耦合器結構(3)均有一定夾角。

5.根據(jù)權利要求4所述的一種淺刻蝕多模干涉耦合的多通道平頂型波分復用接收器，其特征在于：所述的錐形輸入波導(2)的輸出端連接在淺刻蝕多模干涉耦合器結構(3)輸入端的一角上，錐形輸入波導(2)的中軸線和淺刻蝕多模干涉耦合器結構(3)長度方向之間的夾角均小于45度；

所述錐形輸出波導(a₁-a_n)的輸入端均連接到淺刻蝕多模干涉耦合器結構(3)輸入端另一角所在的側面上，多條錐形輸出波導(a₁-a_n)的輸入端間隔連接到淺刻蝕多模干涉耦合器結構(3)一側面上的不同位置處，錐形輸出波導(a₁-a_n)的中軸線和淺刻蝕多模干涉耦合器結構(3)長度方向之間的夾角小于45度。

6.根據(jù)權利要求1所述的一種淺刻蝕多模干涉耦合的多通道平頂型波分復用接收器，其特征在于：所述的錐形輸出波導(a₁-a_n)較窄的一端波導寬度和輸出波導(b₁-b_n)的波導寬度均為多模波導寬度。

7.根據(jù)權利要求1所述的一種淺刻蝕多模干涉耦合的多通道平頂型波分復用接收器，其特征在于：所述的淺刻蝕多模干涉耦合器結構(3)采用淺刻蝕波導。