[發明專利]屏蔽柵極金氧半場效晶體管元胞結構、晶體管及制造方法有效
| 申請號： | 202210049709.5 | 申請日： | 2022-01-17 |
| 公開（公告）號： | CN114068683B | 公開（公告）日： | 2022-04-22 |
| 發明（設計）人： | 李偉聰;姜春亮;雷秀芳 | 申請（專利權）人： | 深圳市威兆半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/40 | 分類號： | H01L29/40;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京惟盛達知識產權代理事務所(普通合伙) 11855 | 代理人： | 董鴻柏 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市南山區桃源街道福*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 屏蔽 柵極 半場 晶體管 結構 制造 方法 | ||
1.一種金氧半場效晶體管的制造方法，應用于一種金氧半場效晶體管；
所述金氧半場效晶體管采用一種屏蔽柵極金氧半場效晶體管的元胞結構，其中包括多個包括刻蝕在硅基層（1）上的上窄下寬的溝槽，所述溝槽內多次墊積氧化層（6）和多晶硅形成包裹有氧化層（6）的兩個屏蔽柵極（7）；
所述硅基層（1）上表面依次設有P型襯底（9）和N型源極（10）；
所述P型襯底（9）的注入材料為硼或氟化硼，所述N型源極（10）的注入材料為砷或磷；
所述P型襯底（9）和N型源極（10）上刻蝕連接孔（8），所述連接孔（8）內墊積金屬材料形成源極金屬（11），金屬材料為鋁或銅；
其特征在于，主要包括以下步驟：
S1、通過光刻的方式在硅基層（1）的光刻第一阻擋層（3）；
S2、然后進行溝槽的上部分刻蝕，形成溝槽的上窄結構（2）；
S3、在形成的上窄的溝槽的四周內壁光刻第二阻擋層（4）；
S4、利用濕法刻蝕的方式在溝槽的底壁刻蝕，形成溝槽的下寬結構（5）；
S5、去除第一阻擋層（3）和第二阻擋層（4），形成完整的上窄下寬結構的溝槽；
S6、在所述的步驟S5中的上窄下寬結構的溝槽中多次墊積氧化層（6）和多晶硅，形成包裹有氧化層（6）的兩個屏蔽柵極（7）；
S7、在所述的硅基層（1）的上表面依次注入P型材料和N型材料，形成P型襯底（9）和N型源極（10）結構；
S8、通過刻蝕的方式在P型襯底（9）和N型源極（10）結構處形成連接孔（8），并在連接孔處墊積金屬材料形成源極金屬（11）；
所述步驟S1和步驟S3中的第一阻擋層（3）和第二阻擋層（4）為二氧化硅阻擋層，在進行光刻的主要方法為先在表面涂覆光刻膠，然后利用光刻機進行照射形成二氧化硅阻擋層；
在步驟S3中向上窄的溝槽的四周內壁涂覆光刻膠后，在上窄的溝槽滴加一層硅墨水；
所述硅墨水的組成為5-20%的納米硅粉、20-40%的有機溶劑、5-15 %的增稠劑和2-5%的黑色素；
所述步驟S4中濕法刻蝕的方法，采用KOH強堿溶液和異丙醇的混合溶液進行刻蝕。
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