[發明專利]金屬氧化物薄膜晶體管、顯示面板及其制備方法

在審

• 申請號: 202210043838.3
• 申請日: 2022-01-14
• 公開（公告）號: CN114420764A
• 公開（公告）日: 2022-04-29
• 發明（設計）人: 胡紹君;李義釗;其他發明人請求不公開姓名
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/34
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 唐秀萍

本申請實施例提供一種金屬氧化物薄膜晶體管、顯示面板及其制備方法，其中，金屬氧化物薄膜晶體管包括緩沖層、有源層、柵極絕緣層、柵極層和介電層，有源層設置在緩沖層的一側，有源層的材料為金屬氧化物；柵極絕緣層設置在有源層遠離緩沖層的一側；柵極層設置在柵極絕緣層遠離有源層的一側；介電層設置在柵極層遠離緩沖層的一側，且介電層覆蓋部分有源層、部分緩沖層和部分柵極絕緣層，在緩沖層至有源層的方向上，介電層包括依次層疊設置的氧化硅子層和阻擋子層，阻擋子層的覆蓋性能大于氧化硅子層的覆蓋性能。本申請實施例通過覆蓋性能更大的阻擋子層不發生斷裂，避免了由于介電層完全斷裂而導致水汽進入影響其它器件的情況。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，特別涉及一種金屬氧化物薄膜晶體管、顯示面板及其制備方法。

背景技術

薄膜晶體管液晶平板顯示器是一類有源矩陣液晶顯示設備，該類顯示屏上的每個液晶像素點都是由集成在像素點后面的薄膜晶體管來驅動，薄膜晶體管(TFT，ThinFilmTransistor)對于顯示器的響應度及色彩真實度等具有重要影響，是該類顯示器中的重要組成部分。采用金屬氧化物作為溝道層材料的TFT技術是目前在面板技術領域的研究熱點，使用該技術可以使顯示屏功耗接近OLED，厚度僅比OLED高出25％，且分辨率可以達到全高清(fullHD，1920*1080P)乃至超高清(UltraDefinition，分辨率4k*2k)級別程度，而成本卻相對更低。

然而，在制作金屬氧化物薄膜晶體管的過程中，介電層容易出現爬坡斷裂的情況，導致產品性能異常。

發明內容

本申請實施例提供一種金屬氧化物薄膜晶體管、顯示面板及其制備方法，可以改善現有的介電層爬坡斷裂的情況。

本申請實施例提供一種金屬氧化物薄膜晶體管，包括：

緩沖層；

有源層，所述有源層設置在所述緩沖層的一側，所述有源層的材料為金屬氧化物；

柵極絕緣層，所述柵極絕緣層設置在所述有源層遠離所述緩沖層的一側；

柵極層，所述柵極層設置在所述柵極絕緣層遠離所述有源層的一側；

介電層，所述介電層設置在所述柵極層遠離所述緩沖層的一側，且所述介電層覆蓋部分所述有源層、部分所述緩沖層和部分所述柵極絕緣層，在所述緩沖層至所述有源層的方向上，所述介電層包括依次層疊設置的氧化硅子層和阻擋子層，所述阻擋子層的覆蓋性能大于所述氧化硅子層的覆蓋性能。

可選的，所述阻擋子層包括氮氧化硅和氮化硅中的一種或組合。

可選的，所述氧化硅子層的厚度大于3000A，所述阻擋子層的厚度在500A至1500A之間。

可選的，所述介電層還包括氮氧化硅子層，所述氮氧化硅子層設置在所述氧化硅子層遠離所述阻擋子層的一側。

可選的，所述阻擋子層的厚度大于或等于1000A，所述氧化硅子層的厚度大于或等于2500A，所述氮氧化硅子層的厚度大于或等于1500A。

可選的，位于所述有源層上的所述介電層包括多個過孔，所述金屬氧化物薄膜晶體管還包括：

遮光層，所述遮光層設置在所述緩沖層遠離所述有源層的一側，所述遮光層與所述有源層相對設置；

源漏極，所述源漏極設置在所述介電層遠離所述有源層的一側；

金屬導線，所述金屬導線設置在所述過孔內，所述金屬導線的一端連接所述源漏極，所述金屬導線的另一端連接所述有源層，以使所述源漏極與所述有源層電連接。

本申請實施例還提供一種顯示面板，包括上述任一項所述的金屬氧化物薄膜晶體管。

本申請實施例還提供一種顯示面板的制備方法，所述方法包括：