[發明專利]金屬氧化物薄膜晶體管、顯示面板及其制備方法

在審

• 申請號: 202210043838.3
• 申請日: 2022-01-14
• 公開（公告）號: CN114420764A
• 公開（公告）日: 2022-04-29
• 發明（設計）人: 胡紹君;李義釗;其他發明人請求不公開姓名
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/34
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 唐秀萍

1.一種金屬氧化物薄膜晶體管，其特征在于，包括：

緩沖層；

有源層，所述有源層設置在所述緩沖層的一側，所述有源層的材料為金屬氧化物；

柵極絕緣層，所述柵極絕緣層設置在所述有源層遠離所述緩沖層的一側；

柵極層，所述柵極層設置在所述柵極絕緣層遠離所述有源層的一側；

介電層，所述介電層設置在所述柵極層遠離所述緩沖層的一側，且所述介電層覆蓋部分所述有源層、部分所述緩沖層和部分所述柵極絕緣層，在所述緩沖層至所述有源層的方向上，所述介電層包括依次層疊設置的氧化硅子層和阻擋子層，所述阻擋子層的覆蓋性能大于所述氧化硅子層的覆蓋性能。

2.根據權利要求1所述的金屬氧化物薄膜晶體管，其特征在于，所述阻擋子層包括氮氧化硅和氮化硅中的一種或組合。

3.根據權利要求2所述的金屬氧化物薄膜晶體管，其特征在于，所述氧化硅子層的厚度大于3000A，所述阻擋子層的厚度在500A至1500A之間。

4.根據權利要求1所述的金屬氧化物薄膜晶體管，其特征在于，所述介電層還包括氮氧化硅子層，所述氮氧化硅子層設置在所述氧化硅子層遠離所述阻擋子層的一側。

5.根據權利要求4所述的金屬氧化物薄膜晶體管，其特征在于，所述阻擋子層的厚度大于或等于1000A，所述氧化硅子層的厚度大于或等于2500A，所述氮氧化硅子層的厚度大于或等于1500A。

6.根據權利要求1所述的金屬氧化物薄膜晶體管，其特征在于，位于所述有源層上的所述介電層包括多個過孔，所述金屬氧化物薄膜晶體管還包括：

遮光層，所述遮光層設置在所述緩沖層遠離所述有源層的一側，所述遮光層與所述有源層相對設置；

源漏極，所述源漏極設置在所述介電層遠離所述有源層的一側；

金屬導線，所述金屬導線設置在所述過孔內，所述金屬導線的一端連接所述源漏極，所述金屬導線的另一端連接所述有源層，以使所述源漏極與所述有源層電連接。

7.一種顯示面板，其特征在于，包括上述權利要求1-6任一項所述的金屬氧化物薄膜晶體管。

8.一種顯示面板的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一基板；

在所述基板上設置緩沖層；

在所述緩沖層上設置有源層；

在所述有源層上依次設置圖形化的柵極絕緣層以及柵極層；

在所述柵極層遠離所述緩沖層的一側依次設置氧化硅子層和阻擋子層以形成介電層，所述介電層還覆蓋部分所述有源層、部分所述緩沖層和部分所述柵極絕緣層，所述阻擋子層的覆蓋性能大于所述氧化硅子層的覆蓋性能。

9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述在部分所述柵極層、所述有源層靠近所述柵極層的一側以及所述緩沖層靠近所述柵極層的一側上均依次設置氧化硅層和阻擋層以形成介電層還包括：

在所述柵極層遠離所述緩沖層一側上設置氮氧化硅層；

在所述氮氧化硅層遠離所述緩沖層的一側依次設置氧化硅層和阻擋層以形成介電層。

10.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，制備所述阻擋子層包括：

通過無氨低H％工藝制備所述阻擋子層。