[發明專利]一種高靈敏度的基于MEMS技術的片狀壓阻式磁致伸縮換能器在審
| 申請號： | 202210036286.3 | 申請日： | 2022-01-13 |
| 公開（公告）號： | CN114322735A | 公開（公告）日： | 2022-04-12 |
| 發明（設計）人： | 李海全;李和深;林炳柱;張華享;周煒彬 | 申請（專利權）人： | 江門市潤宇傳感器科技有限公司 |
| 主分類號： | G01B7/02 | 分類號： | G01B7/02;B06B1/06 |
| 代理公司： | 北京眾合誠成知識產權代理有限公司 11246 | 代理人： | 周媛 |
| 地址： | 529100 廣東省江門市新*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 靈敏度 基于 mems 技術 片狀 壓阻式磁致 伸縮 換能器 | ||
1.一種高靈敏度的基于MEMS技術的片狀壓阻式磁致伸縮換能器，包括拾能機構，其特征在于，所述拾能機構包括波導絲、單晶硅膜片、壓電傳感器以及電路板；所述波導絲與所述單晶硅膜片連接或抵接，所述單晶硅膜片背向所述波導絲的一面與所述壓電傳感器連接或抵接，所述壓電傳感器和所述波導絲均與所述電路板電連接。
2.根據權利要求1所述的高靈敏度的基于MEMS技術的片狀壓阻式磁致伸縮換能器，其特征在于，所述電路板為柔性電路板。
3.根據權利要求1所述的高靈敏度的基于MEMS技術的片狀壓阻式磁致伸縮換能器，其特征在于，所述拾能機構還包括支撐架，所述單晶硅膜片、所述壓電傳感器以及部分所述波導絲均收容于所述支撐架中并與所述支撐架連接。
4.根據權利要求3所述的高靈敏度的基于MEMS技術的片狀壓阻式磁致伸縮換能器，其特征在于，所述拾能機構還包括屏蔽罩，所述屏蔽罩罩設在所述支撐架上。
5.根據權利要求4所述的高靈敏度的基于MEMS技術的片狀壓阻式磁致伸縮換能器，其特征在于，所述屏蔽罩為鋁罩。
6.根據權利要求4所述的高靈敏度的基于MEMS技術的片狀壓阻式磁致伸縮換能器，其特征在于，所述屏蔽罩為銅罩。
7.根據權利要求1所述的高靈敏度的基于MEMS技術的片狀壓阻式磁致伸縮換能器，其特征在于，所述波導絲的一端焊接在所述電路板上并與所述電路板電連接，所述波導絲的另一端通過導電線與所述電路板電連接。
8.根據權利要求7所述的高靈敏度的基于MEMS技術的片狀壓阻式磁致伸縮換能器，其特征在于，所述導電線為漆包線。
9.根據權利要求1所述的高靈敏度的基于MEMS技術的片狀壓阻式磁致伸縮換能器，其特征在于，所述支撐架上還設置有底座。
10.根據權利要求1所述的高靈敏度的基于MEMS技術的片狀壓阻式磁致伸縮換能器，其特征在于，所述支撐架與所述電路板連接。
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