[發明專利]一種新型的POR電路

在審

• 申請號: 202210031845.1
• 申請日: 2022-01-12
• 公開（公告）號: CN114326907A
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發明（設計）人: 耿翔;曹燦華
• 申請（專利權）人: 上海南芯半導體科技股份有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 成都點睛專利代理事務所(普通合伙) 51232
• 代理人: 孫一峰

本發明屬于模擬電路技術領域，具體的說是涉及一種新型的POR電路。本發明用于解決一般的based BG的POR的大面積的情況，通過使用單一BJT以及PTAT based comparator可以達到用較小的面積達到POR功能的結果，同時使用高端BJT，NBL可以很好的保護BJT的電流，不然使用低端BJT，NBL的吸收少子的能力會導致電阻串的電流有影響。

技術領域

本發明屬于模擬電路技術領域，具體的說是涉及一種新型的POR電路。

背景技術

Power on reset使用簡單的電路來檢查電源電壓的裕度，從而產生POR信號給到相應的數字電路，保證數字電路的正常工作。

現有的POR電路，通常是使用低端BJT，其數量通常為2個，因此導致存在面積較大的問題，不利于小型化，同時NBL的吸收少子的能力會導致電阻串的電流有影響。

發明內容

針對上述問題，本發明提出一種使用單一BJT的新型的POR電路。

本發明的技術方案是：

一種新型的POR電路，包括BJT管、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、電流源、第一MOS管、第二MOS管和比較器；其中，BJT管的基極和集電極接電源，其發射極依次通過第二電阻和第一電阻后接地；第一MOS管的柵極接第二電阻和第一電阻的連接點，第一MOS管的源極接電流源的輸出端，第一MOS管的漏極通過第三電阻后接地；電流源的輸入端接電源；第二MOS管的源極接地電流源的輸出端，其柵極接地，其漏極通過第四電阻后接地；比較器的負輸入端接第一MOS管和第三電阻的連接點，比較器的正輸入端接第二MOS管和第四電阻的連接點，比較器的輸出端輸出POR信號。

進一步的，所述第二電阻和第一電阻構成分壓網絡。

進一步的，所述第一MOS管和第二MOS管用于提供內嵌式PTAT電壓。

進一步的，設M2的寬長比是W/L，M1的寬長比是m*W/L，m為比例系數，M1和M2設置在亞閾值區，可得第一MOS管的柵源電壓V_gs1和第二MOS管的柵源電壓V_gs2的差值為：

其中，V_th為閾值電壓，η為非理想因子常數，V_T為熱電壓，I_d2為M2的漏電流，I_d1為M1的漏電流，K_d2I₀為V_gs2為0是M2的漏電流，K_d1I₀為V_gs1為0時M1的漏電流；

I₀＝μC_ox(η-1)V_T²

其中，μ為溝道遷移率，C_ox為MOS管單位面積的柵氧化層電容。

進一步的，所述POR電流為基于bandgap的POR電路，則當輸入電壓等于Vtrig時，第一電阻上的壓降等于Vgs1-Vgs2時，比較器翻轉輸出為高，得到POR信號，所述Vtrig為：

其中，R₁為第一電阻阻值，R₂為第二電阻的阻值，V_be為BJT的base-emitter電壓。

本發明的有益效果是：本發明用于解決一般的based BG的POR的大面積的情況，通過使用單一BJT以及PTAT based comparator可以達到用較小的面積達到POR功能的結果，同時使用高端BJT，NBL可以很好的保護BJT的電流，不然使用低端BJT，NBL的吸收少子的能力會導致電阻串的電流有影響。

附圖說明