[發明專利]實時熒光定量PCR儀熱電模塊用半導體元件有效
| 申請號： | 202210024945.1 | 申請日： | 2022-01-11 |
| 公開（公告）號： | CN114068795B | 公開（公告）日： | 2022-07-01 |
| 發明（設計）人： | 章賢駿;宣兆康;方涌;章佩娟 | 申請（專利權）人： | 杭州安譽科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L35/22 | 分類號： | H01L35/22;H01L35/34;B01L7/00;C12M1/00;G01N21/64 |
| 代理公司： | 北京國翰知識產權代理事務所(普通合伙) 11696 | 代理人： | 李宇翔 |
| 地址： | 310016 浙江省杭州市江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 實時 熒光 定量 pcr 熱電 模塊 半導體 元件 | ||
1.一種半導體元件，包括陶瓷基片與涂覆在所述陶瓷基片的納米顆粒膜；
所述納米顆粒膜由(Sn1-a-bSr2aMb)O2制備得到；其中，
0.1≤a＜0.3，0.2≤b＜0.5；
金屬M為Ti、Zr、Hf中的一種。
2.根據權利要求1所述的一種半導體元件，其特征在于：所述陶瓷基片為α-氧化鋁、α-氮化硅或β-氮化硅中的一種。
3.根據權利要求1所述的一種半導體元件，其特征在于：所述半導體元件的功率因子高于0.63μw/(m·K2)。
4.權利要求1所述的一種半導體元件在制備實時熒光定量PCR儀熱電模塊中的用途。
5.權利要求1中所述的(Sn1-a-bSr2aMb)O2在提高半導體元件熱電性中的用途。
6.權利要求1中所述的(Sn1-a-bSr2aMb)O2在提高半導體元件抗彎強度中的用途。
7.權利要求1所述的一種半導體元件的制備方法，包括以下步驟：
將錫鹽溶于無水乙醇中，回流，然后添加鍶鹽、金屬M鹽，繼續回流，陳化，得到溶膠；
采用浸漬-提拉工藝，將陶瓷基片浸漬在所述溶膠中，提拉，再在75~100℃下干燥20~30min，然后在550~650℃熱處理2~4h，制得納米顆粒膜；
將銀漿稀釋，并涂覆在所述納米顆粒膜兩端進行熱處理，在銀電極兩端焊接引線制得半導體元件。
8.根據權利要求7所述的一種半導體元件的制備方法，其特征在于：所述金屬M鹽為TiCl4、ZrCl4、HfCl4中的一種。
9.根據權利要求7所述的一種半導體元件的制備方法，其特征在于：所述回流溫度為85~100℃，回流時間為18~24h。
10.根據權利要求7所述的一種半導體元件的制備方法，其特征在于：所述熱處理條件為在135~145℃干燥15~25min，然后在500~600℃處理5~15min。
11.根據權利要求7所述的一種半導體元件的制備方法，其特征在于：所述銀漿稀釋的過程中添加β-桉葉醇。
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