[發明專利]一種新型大功率半導體激光器件

在審

• 申請號: 202210017724.1
• 申請日: 2022-01-07
• 公開（公告）號: CN114361934A
• 公開（公告）日: 2022-04-15
• 發明（設計）人: 蔡震;馮小明
• 申請（專利權）人: 無錫亮源激光技術有限公司
• 主分類號: H01S5/024
• 分類號: H01S5/024
• 代理公司: 蘇州國誠專利代理有限公司 32293
• 代理人: 杜丹盛

1.一種新型大功率半導體激光器件，其特征在于，其包括：

器件本體；

三個熱沉泵源；

以及激光晶體；

所述器件本體包括沿著外周間隔設置的三個熱沉泵源定位平面，每個熱沉泵源定位平面的中心區域內凹形成安裝定位槽，所述器件本體的中心軸位置開設有貫穿通孔，每個所述安裝定位槽連通所述貫穿通孔；

所述激光晶體的長度長于所述器件本體的長度，所述激光晶體長度方向貫穿所述貫穿通孔、且兩端分別蓋裝有密封組件，所述激光晶體的長度方向兩端分別外凸設置；

每個熱沉泵源包括有熱沉、若干芯片單元，所有的芯片單元封裝在熱沉的內表面的長度方向布置，所述熱沉泵源的封裝有芯片單元的部分嵌裝于所述安裝定位槽內、且芯片單元內置于所述貫穿通孔所對應的腔體；

三組芯片單元環布于所述激光晶體的外環周設置；

所述器件本體的兩個熱沉泵源定位平面之間的外周設置有一對冷卻液進出口，其中一個為入液口、另一個為出液口，所述入液口和出液口均連通所述貫穿通孔。

2.如權利要求1所述的一種新型大功率半導體激光器件，其特征在于：每個所述芯片單元包括有底部絕緣墊片、表面的兩個電極、以及兩個電級之間的大功率半導體激光芯片，每片所述大功率半導體激光芯片包括有前腔光學膜、后腔光學膜，所述前腔光學膜、后腔光學膜均是按照最外層介質為冷卻液設計制作而成。

3.如權利要求1所述的一種新型大功率半導體激光器件，其特征在于：流入所述貫穿通孔內的冷卻液為絕緣液體。

4.如權利要求1所述的一種新型大功率半導體激光器件，其特征在于：所述熱沉泵源的封裝芯片單元的厚度確保芯片單元部分置于貫穿通孔的對應腔體內，所述熱沉泵源的封裝部分的外周設置有密封條，所述密封條用于封堵安裝定位槽的外周。

5.如權利要求1所述的一種新型大功率半導體激光器件，其特征在于：所述密封組件包括襯蓋、壓蓋、密封體，每端的襯蓋分別通過螺釘安裝在器件主體的對應端面，中間通過密封圈進行密封，每端的壓蓋旋緊在襯蓋的中心孔、并通過密封圈壓緊所述激光晶體的外環周。

6.如權利要求1所述的一種新型大功率半導體激光器件，其特征在于：所述激光晶體和所述貫穿通孔同軸布置。

7.如權利要求1所述的一種新型大功率半導體激光器件，其特征在于：所述入液口、出液口分別位于所述器件本體的長度方向的兩端位置設置。