[發明專利]變壓器裝置及半導體裝置

在審

• 申請號: 202210017074.0
• 申請日: 2022-01-07
• 公開（公告）號: CN114765091A
• 公開（公告）日: 2022-07-19
• 發明（設計）人: 今坂俊博;吉野學;山口靖雄;鳥井陽平
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01F27/30
• 分類號: H01F27/30;H01F27/32;H01L23/64
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

本發明涉及變壓器裝置及半導體裝置。提供能夠高品質地將導線接合于使線圈間絕緣的絕緣層上側的焊盤的變壓器裝置。變壓器裝置具有：面狀的第1線圈；第1絕緣層，其設置于第1線圈上側；中間層，其設置于第1絕緣層上側；第2絕緣層，其設置于中間層上側；面狀的第2線圈，其設置于第2絕緣層上側，與第1線圈相對；以及導電性的焊盤，其設置于第2絕緣層上側，與第2線圈的一端側連接，焊盤配置于在俯視觀察時與中間層至少局部地重疊的位置處，中間層比第1絕緣層及第2絕緣層的硬度高。

技術領域

本發明涉及變壓器裝置及半導體裝置。

背景技術

作為在以不同的基準電位進行動作的兩個電路間進行信號傳輸的手段，已知在半導體基板之上形成無芯變壓器(coreless transformer)的技術、將有機絕緣膜用作無芯變壓器的線圈間的絕緣層的技術。例如在專利文獻1中公開了這樣的技術。

專利文獻1：日本特開2017-118128號公報

在現有技術中，存在如下問題，即，在將導線鍵合于在使線圈間絕緣的絕緣層上側形成的焊盤時，該絕緣層變形，接合品質降低。

發明內容

本發明就是為了解決上述那樣的問題而提出的，其目的在于提供能夠高品質地將導線接合于使線圈間絕緣的絕緣層上側的焊盤的變壓器裝置、及具有該變壓器裝置的半導體裝置。

根據本發明的一個方式，提供變壓器裝置，該變壓器裝置具有：面狀的第1線圈；第1絕緣層，其設置于第1線圈的上側；中間層，其設置于第1絕緣層的上側；第2絕緣層，其設置于中間層的上側；面狀的第2線圈，其設置于第2絕緣層的上側，與第1線圈相對；以及導電性的焊盤，其設置于第2絕緣層的上側，與第2線圈的一端側連接，焊盤配置于在俯視觀察時與中間層至少局部地重疊的位置處，中間層比第1絕緣層及第2絕緣層的硬度高。

另外，根據本發明的另一個方式，提供變壓器裝置，該變壓器裝置具有：面狀的第1線圈；第1絕緣層，其設置于第1線圈的上側；中間層，其設置于第1絕緣層的上側；第2絕緣層，其設置于中間層的上側；面狀的第2線圈，其設置于第2絕緣層的上側，與第1線圈相對；以及導電性的焊盤，其設置于第2絕緣層的上側，與第2線圈的一端側連接，焊盤配置于在俯視觀察時與中間層至少局部地重疊的位置處，第1絕緣層及第2絕緣層為有機絕緣層，中間層為金屬層或玻璃層。

另外，根據本發明的另一個方式，提供半導體裝置，該半導體裝置具有：本發明的變壓器裝置；以及半導體電路，其與第1線圈或第2線圈電連接。

發明的效果

本發明的一個方式的變壓器裝置具有：第1絕緣層，其設置于第1線圈上側；中間層，其設置于第1絕緣層上側；第2絕緣層，其設置于中間層上側；以及導電性的焊盤，其設置于第2絕緣層上側，與第2線圈的一端側連接，焊盤配置于在俯視觀察時與中間層至少局部地重疊的位置處，中間層比第1絕緣層及第2絕緣層的硬度高。由此，提供能夠高品質地將導線接合于使線圈間絕緣的絕緣層上側的焊盤的變壓器裝置。

另外，本發明的另一個方式的變壓器裝置具有：第1絕緣層，其設置于第1線圈上側；中間層，其設置于第1絕緣層上側；第2絕緣層，其設置于中間層上側；以及導電性的焊盤，其設置于第2絕緣層上側，與第2線圈的一端側連接，焊盤配置于在俯視觀察時與中間層至少局部地重疊的位置處，第1絕緣層及第2絕緣層為有機絕緣層，中間層為金屬層或玻璃層。由此，提供能夠高品質地將導線接合于使線圈間絕緣的絕緣層上側的焊盤的變壓器裝置。

另外，本發明的另一個方式的半導體裝置具有：本發明的變壓器裝置；以及半導體電路，其與第1線圈或第2線圈電連接。由此，提供具有本發明的變壓器裝置的半導體裝置。

附圖說明

圖1是表示實施方式1的半導體裝置的圖。

圖2是實施方式1的半導體裝置的配線層及焊盤的俯視圖。