[發明專利]低噪聲放大器

在審

• 申請號: 202210016611.X
• 申請日: 2022-01-07
• 公開（公告）號: CN114337564A
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發明（設計）人: 鄭金汪;郭恒;原慎;邵秀麗;李朋國;黨艷杰;滕云龍;孫鵬林;葉嘉蒙;亓巧云;張玉彬;錢永學;孟浩;蔡光杰;黃鑫
• 申請（專利權）人: 深圳昂瑞微電子技術有限公司
• 主分類號: H03F3/193
• 分類號: H03F3/193
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 梁棟國;劉虹

1.一種低噪聲放大器，包括：

放大器電路，其被輸入射頻RF信號并且通過其輸出端來輸出經放大的RF信號，以及

數字衰減電路，其連接到所述放大器電路，并且被配置為接收放大器電路輸出的RF信號，并且以相同衰減步長來衰減放大器電路輸出的RF信號。

2.根據權利要求1所述的低噪聲放大器，其中，所述數字衰減電路包括N個數字衰減器，N為大于1的整數，

其中，所述N個數字衰減器的每個的衰減值以2進制關系來設置。

3.根據權利要求1所述的低噪聲放大器，其中，所述放大器電路包括共源共柵放大器。

4.根據權利要求3所述的低噪聲放大器，其中，所述共源共柵放大器包括：第一電容器C1、第二電容器C2、第一晶體管M1、第二晶體管M2、第一電阻器R1、第一電感器L1和第二電感器L2，

其中，所述第一電容器C1連接在射頻輸入端口和第一晶體管M1的柵極之間；

所述第一電阻器R1的第一端連接到第一晶體管M1的柵極，并且其第二端連接到第一輸入電壓vb1；

所述第一晶體管M1的源極連接到第一電感器L1的第一端，并且其漏極連接到第二晶體管M2的源極；

所述第一電感器L1的第一端與第一晶體管M1的源極連接，并且其第二端連接到接地節點；

所述第二晶體管M2的柵極連接到第二輸入電壓vb2，所述第二晶體管M2的源極連接到第一晶體管M1的漏極，并且所述第二晶體管M2的漏極連接在第二電容器C2和第二電感器L2之間；

所述第二電容器C2的第一端連接到第二晶體管M2的漏極，并且其第二端連接到數字衰減電路；以及

所述第二電感器L2的第一端連接到第二晶體管M2的漏極，并且其第二端連接到電源電壓VDD。

5.根據權利要求2所述的低噪聲放大器，其中，所述數字衰減器包括晶體管MA、晶體管MB、晶體管MC、電阻器RA、電阻器RB以及電阻器RC，

其中，所述晶體管MA的漏極和源級分別連接到電阻器RA的第一端和第二端，晶體管MA的柵極連接到第一控制信號，

所述晶體管MB的漏極連接到電阻器RB的第一端，源級連接到接地節點，柵極連接到第一控制信號的互補信號，

晶體管MC的漏極連接到電阻器RC的第一端，源級連接到接地節點，柵極連接到第一控制信號的互補信號，

電阻器RB的第二端和電阻器R1的第二端分別連接到電阻器RA的第一端和第二端，以及

電阻器RA的第一端和第二端分別為所述數字衰減器的輸入端和輸出端。

6.根據權利要求2所述的低噪聲放大器，其中，當N為3時，所述數字衰減電路包括1dB數字衰減器、2dB數字衰減器和4dB數字衰減器。

7.根據權利要求2所述的低噪聲放大器，其中，所述N個數字衰減器串聯連接在所述放大器電路的輸出端和LNA的輸出端口rfout之間。

8.根據權利要求6所述的低噪聲放大器，

其中，根據1dB控制信號及其互補信號、2dB控制信號及其互補信號以及4dB控制信號及其互補信號，分別控制1dB數字衰減器，2dB數字衰減器和4dB數字衰減器。

9.根據權利要求1所述的低噪聲放大器，其中，所述低噪聲放大器包括HBT晶體管、CMOS晶體管、BJT晶體管、BiCMOS晶體管以及GaN晶體管中的至少一個。