[發(fā)明專利]晶圓氣鎖裝置、晶圓處理裝置及方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210009980.6 | 申請日: | 2022-01-06 |
| 公開(公告)號: | CN114334744A | 公開(公告)日: | 2022-04-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 邵波;張博維;汪錚錚 | 申請(專利權(quán))人: | 長鑫存儲技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京律智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438 | 代理人: | 趙新龍;闞梓瑄 |
| 地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶圓氣鎖 裝置 處理 方法 | ||
本申請實施例公開一種晶圓氣鎖裝置、晶圓處理裝置及方法,晶圓氣鎖裝置用于調(diào)整晶圓所經(jīng)受的壓力,且包括腔體、支撐組件和氣源,腔體內(nèi)部具有一中空腔室,腔體包括進氣口和排氣口,且進氣口、排氣口均與中空腔室連通;支撐組件設(shè)置在中空腔室內(nèi),用于支撐晶圓;氣源連接于進氣口,用于向中空腔室內(nèi)提供清掃氣體,以使清掃氣體吹掃晶圓的背面,并由排氣口排出。利用本申請實施例的晶圓氣鎖裝置進行吹掃,無需將晶圓傳輸至指定的清掃機臺,而在本機臺內(nèi)就可實現(xiàn)清掃,大幅提升了清掃效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請實施例涉及晶圓加工技術(shù)領(lǐng)域,具體而言,涉及一種晶圓氣鎖裝置、晶圓處理裝置及方法。
背景技術(shù)
將IC(Integrated Circuit,集成電路)形成在晶圓的過程中,會經(jīng)歷很多工藝步驟。在多工藝步驟的制造過程中,晶圓背面會出現(xiàn)異物,例如微粒,如不將異物及時清除,將影響工藝步驟的正常進行,甚至發(fā)生晶圓破片。然而,相關(guān)技術(shù)中晶圓背面異物的清除方法和裝置存在作業(yè)效率低等問題。
發(fā)明內(nèi)容
本申請實施例提供一種晶圓氣鎖裝置、晶圓處理裝置及方法,以改善相關(guān)技術(shù)中存在的作業(yè)效率低的問題。
本申請實施例的晶圓氣鎖裝置,用于調(diào)整所述晶圓所經(jīng)受的壓力,包括腔體、支撐組件和氣源,腔體內(nèi)部具有一中空腔室,所述腔體包括進氣口和排氣口,且所述進氣口、所述排氣口均與所述中空腔室連通;支撐組件設(shè)置在所述中空腔室內(nèi),用于支撐晶圓;氣源連接于所述進氣口,用于向所述中空腔室內(nèi)提供清掃氣體,以使所述清掃氣體吹掃所述晶圓的背面,并由所述排氣口排出。
根據(jù)本申請的一些實施方式,所述進氣口正對所述晶圓的背面。
根據(jù)本申請的一些實施方式,所述進氣口在所述晶圓的正投影位于所述晶圓的圓心。
根據(jù)本申請的一些實施方式,所述支撐組件包括三個支撐腳,各所述支撐腳均與所述晶圓的背面形成一支撐點,各所述支撐點位于所述晶圓的邊緣。
根據(jù)本申請的一些實施方式,三個所述支撐點形成一等邊三角形。
根據(jù)本申請的一些實施方式,所述晶圓氣鎖裝置還包括控制器和三個傳感器,三個所述傳感器分別設(shè)置在三個所述支撐腳上,且與所述控制器信號連接,用于檢測與其對應(yīng)的所述支撐腳是否支撐所述晶圓,所述控制器用于根據(jù)所述傳感器的檢測結(jié)果,判斷出三個所述支撐腳是否均支撐所述晶圓。
根據(jù)本申請的一些實施方式,所述晶圓氣鎖裝置還包括靜電發(fā)生器,設(shè)置在所述支撐組件上,用以產(chǎn)生靜電并吸附所述晶圓。
根據(jù)本申請的一些實施方式,所述晶圓氣鎖裝置還包括抽氣裝置,連接于所述排氣口,用于抽取所述中空腔室內(nèi)的氣體。
根據(jù)本申請的一些實施方式,所述清掃氣體包括氮氣。
根據(jù)本申請的一些實施方式,所述氣源向所述中空腔室內(nèi)提供的所述清掃氣體的流量為200-5000sccm。
根據(jù)本申請的一些實施方式,所述清掃氣體吹掃所述晶圓的時間為3-10min。
根據(jù)本申請的一些實施方式,所述腔體還包括進料口和出料口,所述進料口、所述出料口均與所述中空腔室連通,所述進料口用于供所述晶圓傳送至所述中空腔室內(nèi),所述出料口用于供所述晶圓由所述中空腔室內(nèi)傳送出去。
根據(jù)本申請的一些實施方式,所述晶圓氣鎖裝置還包括均流板,覆蓋在所述進氣口,用于使氣體均勻擴散至所述中空腔室內(nèi)。
本申請實施例的晶圓處理裝置,包括上述任一項所述的晶圓氣鎖裝置。
本申請實施例的晶圓處理方法,包括:
提供上述任一項所述的晶圓氣鎖裝置;
利用大氣傳送模組,將所述晶圓傳送至所述晶圓氣鎖裝置,以對所述晶圓的背面進行吹掃以及調(diào)整所述晶圓的壓力;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





