[發明專利]一次性可程序化存儲器陣列及其制備方法

在審

• 申請號: 202210008518.4
• 申請日: 2022-01-06
• 公開（公告）號: CN115132700A
• 公開（公告）日: 2022-09-30
• 發明（設計）人: 李維中;丘世仰
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/525
• 分類號: H01L23/525
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

1.一種反熔絲一次性可程序化存儲器陣列，包括：

多個主動區，在一半導體基底中沿著一第一方向延伸，并沿著一第二方向分開地配置；

多對程序化字元線與讀取字元線，在該半導體基底上沿著該第二方向延伸，其中，其中一個主動區與其中一對該程序化字元線以及該讀取字元線交叉的一區域，界定出在該反熔絲一次性可程序化存儲器陣列中的一單元胞；以及

多個虛擬字元線，在該半導體基底上沿著該第二方向延伸，且分別設置在相鄰對的該等程序化字元線與該等讀取字元線之間，其中，其中一個主動區與其中一虛擬字元線交叉的一區域界定出一絕緣晶體管。

2.如權利要求1所述的反熔絲一次性可程序化存儲器陣列，其中該絕緣晶體管經配置以維持在一關閉狀態。

3.如權利要求1所述的反熔絲一次性可程序化存儲器陣列，其中多個存取晶體管分別界定在其中一個讀取字元線與其中一個主動區的交叉處。

4.如權利要求1所述的反熔絲一次性可程序化存儲器陣列，其中多個反熔絲存儲元件分別界定在其中一個程序化字元線與其中一個主動區的交叉處。

5.如權利要求1所述的反熔絲一次性可程序化存儲器陣列，其中每一個主動區連續延伸經過一列的該等單元胞以及該列的該等單元胞之間的該等絕緣晶體管。

6.如權利要求1所述的反熔絲一次性可程序化存儲器陣列，還包括一絕緣結構，嵌入該半導體基底中并側向圍繞每一個主動區。

7.如權利要求1所述的反熔絲一次性可程序化存儲器陣列，其中相鄰對的該等程序化字元線與該等讀取字元線對應對稱于在延伸該相鄰對的該等程序化字元線與該等讀取字元線之間的該虛擬字元線。

8.一種反熔絲一次性可程序化存儲器陣列，包括：

多個單元胞，沿著多個行及多個列配置，且每一個單元胞包括一存取晶體管以及一反熔絲存儲元件，該反熔絲存儲元件電性耦接到該存取晶體管的一源極/漏極端子；以及

多個絕緣晶體管，其每一個電性耦接到在相同列中的相鄰單元胞，并經配置以維持在一關閉狀態，以使相鄰的該等單元胞相互電性絕緣。

9.如權利要求8所述的反熔絲一次性可程序化存儲器陣列，其中該等絕緣晶體管為N型場效晶體管。

10.如權利要求9所述的反熔絲一次性可程序化存儲器陣列，其中等絕緣晶體管的的各柵極端子經配置以接收一負電壓。

11.如權利要求8所述的反熔絲一次性可程序化存儲器陣列，其中該等反熔絲存儲元件為雙端子元件。

12.如權利要求11所述的反熔絲一次性可程序化存儲器陣列，其中該反熔絲存儲元件為電容器。

13.如權利要求8所述的反熔絲一次性可程序化存儲器陣列，其中在一第一單元胞中的該存取晶體管的一源極/漏極端子與在一第二單元胞中的該存取晶體管的一源極/漏極端子，當成是耦接在該第一與第二單元胞之間的其中一個絕緣晶體管的各源極/漏極端子。