[發明專利]數據存儲方法和系統

在審

• 申請號: 202210003175.2
• 申請日: 2022-01-04
• 公開（公告）號: CN114372008A
• 公開（公告）日: 2022-04-19
• 發明（設計）人: 王永昌;陸偉;姚玉鋒;李強;錢永學;孟浩;蔡光杰;黃鑫
• 申請（專利權）人: 廣州昂瑞微電子技術有限公司
• 主分類號: G06F12/02
• 分類號: G06F12/02;G06F15/78
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 梁棟國

本發明提出了一種數據存儲方法和系統，其中，所述方法包括：標識非易失性數據存儲NVDS扇區和備份BACKUP扇區；對所述NVDS扇區進行寫入操作，每次寫入數據時，將數據寫入NVDS扇區的新頁中，其中所述新頁是在其中沒有有效數據的頁。

技術領域

本公開涉及數據存儲領域，更具體地，涉及到一種用于非易失性存儲器的數據存儲方法和系統。

背景技術

目前，在片上系統(SoC)中常見的存儲方式為非易失性數據存儲(NVDS，non-volatile data storage)模塊，例如閃存(flash)。一般來說，flash從大到小可分為多個級別的結構，其中，最小擦除單位是扇區(sector)，而sector包括作為最大編程(寫入)單位的頁(page)。

在通常的設計方案中，為了節省空間，每條數據在存儲到flash中時，存儲的地址是在上條數據之后。如果地址在某個頁page的中間而非起點，則代表該頁page至少被寫入兩次。當數據存滿一個扇區后，會提取其中有效數據轉移到另一個扇區中，以達到充分利用存儲空間的目的。

發明內容

技術問題

如上所述，在flash中，每條新數據物理上是存儲在上條數據之后。這也就代表著，每個flash的頁page可能會被多次寫入，然而如果在寫入的時候發生flash供電不穩的情況，出于與flash內部架構有關的原因，部分flash會出現當前寫入的這個頁page中所有數據全部丟失的情況。這就可能會造成用戶原先存儲的一些重要數據丟失，進而有可能引起程序出現一系列異常情況。

問題的解決方案

根據本公開的一方面，提供了一種數據存儲方法，包括：標識非易失性數據存儲NVDS扇區和備份BACKUP扇區；對所述NVDS扇區進行寫入操作，每次寫入數據時，將數據寫入NVDS扇區的新頁中，其中所述新頁是在其中沒有有效數據的頁。

根據本公開的一方面，提供了一種數據存儲方法，其中，標識NVDS扇區和BACKUP扇區包括：通過將所述NVDS扇區和所述BACKUP扇區中的第一頁Page0標記為NVDS或BACKUP來標識NVDS扇區和BACKUP扇區。

根據本公開的一方面，提供了一種數據存儲方法，還包括：確定所述NVDS扇區是否已存滿數據，并且響應于NVDS扇區已存滿數據，整合所述NVDS扇區的所有有效數據，一次性寫入BACKUP扇區中的新頁，并且擦除所述NVDS扇區。

根據本公開的一方面，提供了一種數據存儲方法，其中，確定所述NVDS扇區是否已存滿數據通過在NVDS扇區中確定是否存在新頁來判斷。

根據本公開的一方面，提供了一種數據存儲方法，還包括：確定所述BACKUP扇區是否即將存滿，以及響應于確定BACKUP扇區即將存滿，將NVDS扇區的數據整合到BACKUP扇區中。

根據本公開的一方面，提供了一種數據存儲方法，其中，確定所述BACKUP扇區是否即將存滿包括：1)判斷BACKUP扇區的空白頁的數量是否小于預設的第一閾值，2)判斷BACKUP扇區的空白頁占BACKUP扇區的容量的比例是否小于第二閾值，或者3)判斷BACKUP扇區的空白頁的大小是否小于要寫入的新數據的大小。

根據本公開的一方面，提供了一種數據存儲方法，其中，將NVDS扇區的數據整合到BACKUP扇區中包括：整合NVDS扇區的所有有效數據，一次性寫入BACKUP扇區中的新頁。

根據本公開的一方面，提供了一種數據存儲方法，還包括：擦除所述NVDS扇區，之后將該NVDS扇區的角色變更為新BACKUP扇區；整合原BACKUP扇區的有效數據，將其一次性寫入新BACKUP扇區；以及擦除原BACKUP扇區，并且將原BACKUP扇區的角色變更為新NVDS扇區。