[發(fā)明專利]半加成法用層疊體及使用其的印刷配線板在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202180074841.5 | 申請(qǐng)日: | 2021-10-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN116508400A | 公開(公告)日: | 2023-07-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 深澤憲正;富士川亙;村川昭;白發(fā)潤(rùn) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | DIC株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H05K3/12 | 分類號(hào): | H05K3/12 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人: | 王未東;胡玉美 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 成法 層疊 使用 印刷 線板 | ||
本發(fā)明提供兩面連接用平面狀半加成法用層疊體及使用其的印刷配線板,該兩面連接用平面狀半加成法用層疊體無需利用鉻酸、高錳酸的表面粗糙化,無需利用堿形成表面改性層等,不使用真空裝置,即可形成具有基材與導(dǎo)體電路的高密合性、底切少、設(shè)計(jì)再現(xiàn)性佳、且作為電路配線具有良好的矩形截面形狀的配線。發(fā)現(xiàn)通過使用在絕緣性基材(A)的兩表面上具有導(dǎo)電性銀粒子層(M1),進(jìn)一步具有連接基材兩面的貫通孔,且貫通孔的表面通過銀層而確保了導(dǎo)電性的層疊體,能夠形成具有基材與導(dǎo)體電路的高密合性、底切少、設(shè)計(jì)再現(xiàn)性佳、且作為電路配線具有良好的矩形截面形狀的經(jīng)兩面連接的印刷配線板,從而完成了本發(fā)明。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及用于將基材兩面電連接的平面狀的半加成法用層疊體及使用其的印刷配線板。
背景技術(shù)
印刷配線板是在絕緣性基材的表面形成有電路圖案的金屬層而成的。近年來,伴隨電子設(shè)備制品的小型化、輕量化要求,需要印刷配線板(膜)的薄型化以及電路配線的高精細(xì)化。以往,作為制造電路配線的方法,廣泛使用通過在形成于絕緣性基材上的銅層的表面形成電路圖案形狀的蝕刻抗蝕劑、并對(duì)無需電路的部分的銅層進(jìn)行蝕刻而形成銅配線的減成法。但是,減成法中,配線底緣部分的銅容易殘留,如果配線間距離由于電路配線的高密度化而變短,則存在短路、缺乏配線間的絕緣可靠性等問題。另外,如果為了防止短路、提高絕緣可靠性而進(jìn)一步進(jìn)行蝕刻,則蝕刻液會(huì)蔓延進(jìn)入至抗蝕劑下部而推進(jìn)側(cè)蝕,結(jié)果導(dǎo)致配線寬度方向變細(xì)的問題。特別是在配線密度不同的區(qū)域混合存在的情況下,存在于配線密度低的區(qū)域的微細(xì)配線也存在如果進(jìn)行蝕刻則會(huì)消失等問題。進(jìn)一步,通過減成法獲得的配線的截面形狀并非矩形,而是成為底緣向基材側(cè)擴(kuò)展的梯形、三角形的形狀,因此成為在厚度方向上寬度不同的配線,作為電氣傳輸路徑也存在課題。
作為解決這些課題而制作微細(xì)配線電路的方法,提出了半加成法。半加成法中,預(yù)先在絕緣性基材上形成導(dǎo)電性的晶種層,并在該晶種層上的非電路形成部形成鍍覆抗蝕劑。通過導(dǎo)電性的晶種層由電鍍形成配線部后,將抗蝕劑剝離,將非電路形成部的晶種層去除,由此形成微細(xì)配線。根據(jù)該方法,由于使鍍覆沿著抗蝕劑的形狀析出,因此能夠使配線的截面形狀成為矩形,另外,由于能夠無關(guān)圖案的疏密地使目標(biāo)寬度的配線析出,因此適合于微細(xì)配線的形成。
半加成法中,已知通過使用鈀催化劑的無電解鍍銅、無電解鍍鎳而在絕緣性基材上形成導(dǎo)電性的晶種層的方法。這些方法中,例如在使用增層膜的情況下,為了確保膜基材與鍍銅膜的密合性,進(jìn)行了被稱為除膠渣粗糙化的使用高錳酸等烈性試劑的基材表面粗糙化,從所形成的空隙中形成鍍膜,由此利用錨固效應(yīng)而確保了絕緣性基材與鍍膜的密合性。然而,如果將基材表面粗糙化,則存在不易形成微細(xì)配線,而且高頻傳輸特性劣化等課題。因此,研究了減小粗糙化程度的情況,但是在低粗糙化的情況下,存在無法獲得所形成的配線與基材間的所需密合強(qiáng)度的問題。
另一方面,也已知在聚酰亞胺膜上實(shí)施無電解鍍鎳而形成導(dǎo)電晶種的技術(shù)。該情況下,通過將聚酰亞胺膜浸漬于強(qiáng)堿中,從而使表層的酰亞胺環(huán)開環(huán)而將膜表面親水性化,同時(shí)形成水滲透的改性層,使鈀催化劑滲透至該改性層中,進(jìn)行無電解鍍鎳,由此形成鎳的晶種層(例如,參照專利文獻(xiàn)1。)。本技術(shù)中,通過從聚酰亞胺最表層的改性層中形成鍍鎳而獲得了密合強(qiáng)度,但該改性層是使酰亞胺環(huán)開環(huán)的狀態(tài),因此存在膜表層成為在物理、化學(xué)方面脆弱的結(jié)構(gòu)的問題。
與此相對(duì),作為不進(jìn)行表面粗糙化或不在表層形成改性層的方法,也已知通過濺射法而在絕緣性基材上形成鎳或鈦等導(dǎo)電性晶種的方法(例如,參照專利文獻(xiàn)2。)。該方法能夠在不使基材表面粗糙化的情況下形成晶種層,但存在如下等問題:需要使用昂貴的真空裝置,需要巨大的初期投資,基材尺寸、形狀受限,生產(chǎn)率低,工序繁瑣。
作為解決濺射法的課題的方法,提出了利用含有金屬粒子的導(dǎo)電性油墨的涂布層作為導(dǎo)電性晶種層的方法(例如,參照專利文獻(xiàn)3。)。該技術(shù)中,公開了在由膜或片構(gòu)成的絕緣性基材上涂布分散有粒徑1~500nm的金屬粒子的導(dǎo)電性油墨,進(jìn)行熱處理,由此使上述所涂布的導(dǎo)電性油墨中的金屬粒子作為金屬層固定在絕緣性的基材上而形成導(dǎo)電晶種層,進(jìn)而在該導(dǎo)電晶種層上進(jìn)行鍍覆的技術(shù)。
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