[發(fā)明專利]用于并行化晶體管的設備及方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202180073628.2 | 申請日: | 2021-11-01 |
| 公開(公告)號: | CN116368734A | 公開(公告)日: | 2023-06-30 |
| 發(fā)明(設計)人: | C·卡亞;N·R·希姆 | 申請(專利權)人: | 德州儀器公司 |
| 主分類號: | H03K17/687 | 分類號: | H03K17/687 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 林斯凱 |
| 地址: | 美國德*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 并行 晶體管 設備 方法 | ||
1.一種設備,其包括:
第一晶體管,其位于第一裸片上,所述第一晶體管包含第一端子、第二端子及控制觸點,所述第一端子耦合到電壓總線端子,且所述第二端子耦合到切換端子;
第二晶體管,其位于第二裸片上,所述第二晶體管包含第三端子及第四端子,所述第三端子耦合到所述電壓總線端子,且所述第四端子耦合到所述切換端子;
并行反饋端子,其耦合到所述第一裸片及所述第二裸片;
電流傳感器,其包含第一觸點及第二觸點,所述第一觸點耦合到所述第一晶體管的所述第一端子,且所述第二觸點耦合到所述第一晶體管的所述第二端子;
電阻器,其耦合到所述電流傳感器及所述切換端子或接地端子中的至少一者;
有源驅(qū)動控制器,其包含:
第一輸入,其耦合到所述電阻器;
第二輸入,其耦合到所述并行反饋端子;及
輸出,其耦合到所述并行反饋端子;及
邊緣延遲控制器,其經(jīng)調(diào)適以耦合到柵極驅(qū)動器及誤差放大器,且所述控制觸點經(jīng)調(diào)適以耦合到所述柵極驅(qū)動器。
2.根據(jù)權利要求1所述的設備,其中所述電阻器是第一電阻器,且所述設備進一步包括耦合于所述并行反饋端子與所述電壓總線端子或所述切換端子中的至少一者之間的第二電阻器。
3.根據(jù)權利要求1所述的設備,其中所述有源驅(qū)動控制器包含運算放大器及跟隨領導開關。
4.根據(jù)權利要求3所述的設備,其中所述控制觸點是第一控制觸點,所述跟隨領導開關是PFET,所述PFET包含第二控制觸點、第五端子及第六端子,所述輸出耦合到所述PFET的所述第二控制觸點,所述PFET的所述第五端子耦合到所述并行反饋端子,且所述PFET的所述第六端子耦合到所述切換端子或所述接地端子中的至少一者。
5.根據(jù)權利要求3所述的設備,其進一步包括耦合于所述并行反饋端子與所述運算放大器之間的旁路連接。
6.根據(jù)權利要求5所述的設備,其中所述旁路連接響應于所述有源驅(qū)動控制器轉(zhuǎn)變?yōu)橛性打?qū)動模式而耦合于所述并行反饋端子與所述運算放大器之間。
7.根據(jù)權利要求1所述的設備,其進一步包括:
第一切換采樣電阻器,其經(jīng)調(diào)適以耦合到所述誤差放大器;及
第二切換采樣電阻器,其經(jīng)調(diào)適以耦合到所述誤差放大器。
8.根據(jù)權利要求7所述的設備,其進一步包括:
第一電阻器開關,其耦合到所述第一切換采樣電阻器及所述并行反饋端子;及
第二電阻器開關,其耦合到所述第二切換采樣電阻器及所述電阻器。
9.一種電路,其包括:
第一裸片,其包含第一晶體管,所述第一晶體管包含第一端子、第二端子及控制觸點,所述第一端子耦合到電壓總線端子,且所述第二端子耦合到切換端子;
第二裸片,其包含第二晶體管,所述第二晶體管包含第三端子及第四端子,所述第三端子耦合到所述電壓總線端子,且所述第四端子耦合到所述切換端子;
并行反饋端子,其耦合到所述第一裸片及所述第二裸片;
指示器開關,其耦合到所述并行反饋端子及所述電壓總線端子、所述切換端子或接地端子中的至少一者;
故障指示器,其位于所述第一裸片上,耦合到所述指示器開關;及
故障監(jiān)控器,其位于所述第二裸片上,耦合到所述并行反饋端子,所述故障監(jiān)控器經(jīng)調(diào)適以耦合到邏輯塊。
10.根據(jù)權利要求9所述的電路,其中所述指示器開關是NFET或PFET中的至少一者。
11.根據(jù)權利要求9所述的電路,其中所述故障指示器經(jīng)配置以檢測所述第一裸片的故障條件。
12.根據(jù)權利要求11所述的電路,其中所述故障條件是過電流條件、欠電流條件、超溫條件或超額頻率條件中的至少一者。
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