[發(fā)明專利]具有帶集成信號(hào)板的升高的功率平面的功率模塊及實(shí)現(xiàn)該模塊的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202180072730.0 | 申請(qǐng)日: | 2021-09-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN116391311A | 公開(公告)日: | 2023-07-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 扎克·科爾;斯蒂文·埃里克森 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 沃孚半導(dǎo)體公司 |
| 主分類號(hào): | H02K5/00 | 分類號(hào): | H02K5/00 |
| 代理公司: | 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240 | 代理人: | 梁麗超 |
| 地址: | 美國北卡*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 集成 信號(hào) 升高 功率 平面 模塊 實(shí)現(xiàn) 方法 | ||
本發(fā)明涉及一種功率模塊,該功率模塊包括至少一個(gè)導(dǎo)電功率襯底;以及多個(gè)功率器件,該多個(gè)功率器件布置在該至少一個(gè)導(dǎo)電功率襯底上并連接到該至少一個(gè)導(dǎo)電功率襯底。該功率模塊還包括電連接到該多個(gè)功率器件的至少一個(gè)升高的信號(hào)元件和/或電連接到該至少一個(gè)導(dǎo)電功率襯底并且電連接到該多個(gè)功率器件的至少一個(gè)升高的功率平面。
背景技術(shù)
如本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的,已知各種形式的功率模塊。功率模塊為功率部件(通常為功率半導(dǎo)體器件)提供物理封裝。這些功率半導(dǎo)體通常被釬焊或燒結(jié)在功率電子襯底上。功率模塊通常承載功率半導(dǎo)體,提供電接觸和熱接觸,并且包括電絕緣。
當(dāng)前的電氣化趨勢(shì)對(duì)功率模塊提出了越來越高的要求,這些功率模塊包括功率半導(dǎo)體器件、功率電子器件和/或與功率模塊相關(guān)聯(lián)的類似物。例如,提高效率,改進(jìn)操作,以及增加功率密度。這些需求從系統(tǒng)級(jí)向下延伸到部件級(jí)。然而,用于實(shí)現(xiàn)功率模塊內(nèi)的部件的面積是有限的,這相應(yīng)地限制了效率的提高、操作的改進(jìn)以及功率密度的增加。
因此,需要一種被配置為具有改進(jìn)的效率、改進(jìn)的操作、更高的功率密度等的功率模塊。
發(fā)明內(nèi)容
一個(gè)一般方面包括一種功率模塊,該功率模塊可包括:至少一個(gè)導(dǎo)電功率襯底;多個(gè)功率器件,該多個(gè)功率器件布置在該至少一個(gè)導(dǎo)電功率襯底上并連接到該至少一個(gè)導(dǎo)電功率襯底;并且該功率模塊可以包括以下至少一者:至少一個(gè)升高的信號(hào)元件,該至少一個(gè)升高的信號(hào)元件電連接到該多個(gè)功率器件并且布置在該至少一個(gè)導(dǎo)電功率襯底上方;以及至少一個(gè)升高的功率平面,該至少一個(gè)升高的功率平面電連接到該至少一個(gè)導(dǎo)電功率襯底,電連接到該多個(gè)功率器件,并且布置成與該至少一個(gè)導(dǎo)電功率襯底豎直偏移。
一個(gè)一般方面包括一種配置功率模塊的方法,該方法可包括:提供至少一個(gè)導(dǎo)電功率襯底;將多個(gè)功率器件布置在該至少一個(gè)導(dǎo)電功率襯底上并將該多個(gè)功率器件連接到該至少一個(gè)導(dǎo)電功率襯底;以及將至少一個(gè)升高的功率平面電連接到該至少一個(gè)導(dǎo)電功率襯底,并且將該至少一個(gè)升高的功率平面電連接到該多個(gè)功率器件,其中該至少一個(gè)升高的功率平面被布置為與該至少一個(gè)導(dǎo)電功率襯底豎直偏移。
一個(gè)一般方面包括一種功率模塊,該功率模塊可包括:至少一個(gè)導(dǎo)電功率襯底;多個(gè)功率器件,該多個(gè)功率器件布置在該至少一個(gè)導(dǎo)電功率襯底上并連接到該至少一個(gè)導(dǎo)電功率襯底;至少一個(gè)升高的信號(hào)元件,該至少一個(gè)升高的信號(hào)元件電連接到該多個(gè)功率器件;以及至少一個(gè)升高的功率平面,該至少一個(gè)升高的功率平面電連接到該至少一個(gè)導(dǎo)電功率襯底并且電連接到該多個(gè)功率器件,其中該至少一個(gè)升高的功率平面被布置為與該至少一個(gè)導(dǎo)電功率襯底豎直偏移;并且其中該至少一個(gè)升高的信號(hào)元件被布置為與該至少一個(gè)升高的功率平面豎直偏移。
一個(gè)一般方面包括一種功率模塊,該功率模塊可包括:至少一個(gè)導(dǎo)電功率襯底;多個(gè)功率器件,該多個(gè)功率器件布置在該至少一個(gè)導(dǎo)電功率襯底上并連接到該至少一個(gè)導(dǎo)電功率襯底;以及至少一個(gè)升高的功率平面,該至少一個(gè)升高的功率平面電連接到該至少一個(gè)導(dǎo)電功率襯底,電連接到該多個(gè)功率器件,并且布置成與該至少一個(gè)導(dǎo)電功率襯底豎直偏移。
通過考慮下面的具體實(shí)施方式、附圖和權(quán)利要求,本公開的附加特征、優(yōu)點(diǎn)和方面可以被闡述或變得明顯。此外,應(yīng)當(dāng)理解,本公開的上述發(fā)明內(nèi)容和下面的具體實(shí)施方式都是示例性的,并且旨在提供進(jìn)一步的解釋而不限制所要求保護(hù)的本公開的范圍。
附圖說明
包括附圖以提供對(duì)本公開的進(jìn)一步理解并且并入本說明書并構(gòu)成本說明書的一部分的附圖示出了本公開的各方面,并且與具體實(shí)施方式一起用于解釋本公開的原理。除了基本理解本公開及其可能實(shí)施的各種方式所必需的之外,并未嘗試更詳細(xì)地示出本公開的結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié)。在附圖中:
圖1A示意性地示出了根據(jù)本公開的各方面的功率模塊的基于半橋的拓?fù)洹?/p>
圖1B示出了圖1A的功率模塊內(nèi)部的DC鏈路電容器和開關(guān)位置之間的電流回路。
圖2示出了根據(jù)本公開的各方面的各種互連件和相關(guān)聯(lián)的阻抗。
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