[發(fā)明專利]磁盤用基板及使用該磁盤用基板的磁盤

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202180047586.5
• 申請日: 2021-06-30
• 公開（公告）號: CN115812238A
• 公開（公告）日: 2023-03-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 北脇高太郎;畠山英之;熊谷航;坂本遼
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社UACJ;古河電氣工業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號: G11B5/82
• 分類號: G11B5/82
• 代理公司: 北京天達(dá)共和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11586
• 代理人: 張嵩;薛侖

1.一種磁盤用基板，其特征在于，

由鋁合金構(gòu)成，其含有Fe：8.5mass％以下、Mn：2.5mass％以下、Ni：6.5mass％以下以及Mg：4.5mass％以下的一種或兩種以上，剩余部分由Al及不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成，將諧振頻率設(shè)為f(Hz)，將密度設(shè)為ρ(g/cm³)，將板厚設(shè)為t(mm)，則(f×ρ/t)為3800以上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁盤用基板，

所述鋁合金還含有Zn：0.7mass％以下、Cu：1.0mass％以下、Cr：0.30mass％以下、Zr：0.20mass％以下、Be：0.0015mass％以下、Sr：0.1mass％以下、Na：0.1mass％以下以及P：0.1mass％以下的一種或兩種以上。

3.一種磁盤用基板，其特征在于，

由以SiO₂：55～75mass％為主成分，添加Al₂O₃：0.3～25mass％以及CaO：0～20mass的玻璃材料構(gòu)成，將諧振頻率設(shè)為f(Hz)，將密度設(shè)為ρ(g/cm³)，將板厚設(shè)為t(mm)，(f×ρ/t)為3800以上。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁盤用基板，

所述玻璃材料還含有Li₂O：0.01～6mass％、Na₂O：0.7～12mass％、K₂O：0～8mass％、MgO：0～7mass％、ZrO₂：0～10mass％以及TiO₂：0～1mass％的一種或兩種以上。

5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的磁盤用基板，

所述玻璃材料還各15％以下地進(jìn)一步含有B₂O₃、SrO、BaO、ZnO、SnO₂、Fe₂O₃、As₂O₃以及Sb₂O₃的一種或兩種以上。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5的任一項(xiàng)所述的磁盤用基板，

所述(f×ρ/t)為4000以上。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至5的任一項(xiàng)所述的磁盤用基板，

所述(f×ρ/t)為4200以上。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7的任一項(xiàng)所述的磁盤用基板，

每一張磁盤的重量為6.0～11.0g。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至7的任一項(xiàng)所述的磁盤用基板，

每一張磁盤的重量為6.0～10.5g。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至7的任一項(xiàng)所述的磁盤用基板，

每一張磁盤的重量為6.0～8.7g。

11.一種磁盤，其特征在于，

在如權(quán)利要求1至10的任一項(xiàng)所述的磁盤用基板的表面具有磁性體層。