[發明專利]從共熔ethaline溶液電沉積純相SnSb用于鈉離子和鋰離子電池負極在審
| 申請號: | 202180034586.1 | 申請日: | 2021-05-11 |
| 公開(公告)號: | CN115917789A | 公開(公告)日: | 2023-04-04 |
| 發明(設計)人: | J·馬;A·L·普列托 | 申請(專利權)人: | 科羅拉多州立大學研究基金會 |
| 主分類號: | H01M4/52 | 分類號: | H01M4/52;H01M10/0525;H01M4/131 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華;石磊 |
| 地址: | 美國科*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | ethaline 溶液 沉積 snsb 用于 鈉離子 鋰離子電池 負極 | ||
1.一種用于在襯底上電沉積SnSb的方法,包括:
制備在非水性溶劑中含有Sn(II)鹽和Sb(III)鹽的溶液;
將導電金屬襯底插入到所述溶液中;以及
向所述導電金屬襯底施加相對于Ag/Ag+比-0.55V更負的電勢,持續足夠的時間以在所述導電金屬襯底上形成SnSb的薄膜。
2.根據權利要求1所述的方法,其中,所述非水性溶劑包括氯化膽堿和乙二醇的混合物。
3.根據權利要求2所述的方法,其中,所述氯化膽堿和乙二醇的混合物是深共熔混合物。
4.根據權利要求1所述的方法,其中,Sn(II)和Sb(III)以等摩爾量存在。
5.根據權利要求1所述的方法,其中,Sn(II)鹽和Sb(III)鹽包括Sn(II)氯化物和Sb(III)氯化物。
6.根據權利要求1所述的方法,其中,所述導電金屬襯底包括鎳襯底。
7.根據權利要求6所述的方法,其中,所施加的電勢相對于Ag/Ag+為約-0.7V。
8.根據權利要求1所述的方法,其中,所述非水性溶劑選自乙二醇、氯化膽堿、脲、硫脲、甘油、丙二酸、苯甲酸、草酸、及其混合物。
9.根據權利要求1所述的方法,其中,所述Sn(II)鹽和Sb(III)鹽選自錫和銻的硫酸鹽、銻氧化物(Sb2O3)、錫和銻的檸檬酸鹽、錫和銻與葡萄糖酸和酒石酸反應的鹽、及其混合物。
10.根據權利要求1所述的方法,還包括在施加所述電勢的步驟之前加熱所述溶液的步驟。
11.一種用于形成高穩定性鈉離子電池負極的方法,包括:
制備在非水性溶劑中含有Sn(II)鹽和Sb(III)鹽的溶液;
將導電金屬襯底插入到所述溶液中;以及
向所述導電金屬襯底施加相對于Ag/Ag+比-0.55V更負的電勢,持續足夠的時間以在所述導電金屬襯底上形成SnSb的薄膜。
12.根據權利要求11所述的方法,其中,所述非水性溶劑包括氯化膽堿和乙二醇的混合物。
13.根據權利要求12所述的方法,其中,所述氯化膽堿和乙二醇的混合物是深共熔混合物。
14.根據權利要求11所述的方法,其中,Sn(II)和Sb(III)以等摩爾量存在。
15.根據權利要求11所述的方法,其中,Sn(II)鹽和Sb(III)鹽包括Sn(II)氯化物和Sb(III)氯化物。
16.根據權利要求11所述的方法,其中,所述導電金屬襯底包括鎳襯底。
17.根據權利要求16所述的方法,其中,所施加的電勢相對于Ag/Ag+為約-0.7V。
18.根據權利要求11所述的方法,其中,所述非水性溶劑選自乙二醇、氯化膽堿、脲、硫脲、甘油、丙二酸、苯甲酸、草酸、及其混合物。
19.根據權利要求11所述的方法,其中,所述Sn(II)鹽和Sb(III)鹽選自錫和銻的硫酸鹽、銻氧化物(Sb2O3)、錫和銻的檸檬酸鹽、錫和銻與葡萄糖酸和酒石酸反應的鹽、及其混合物。
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