[發明專利]成膜方法

在審

• 申請號: 202180009850.6
• 申請日: 2021-03-22
• 公開（公告）號: CN114981470A
• 公開（公告）日: 2022-08-30
• 發明（設計）人: 織井雄一;箱守宗人;須田具和;高木大
• 申請（專利權）人: 株式會社愛發科
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/34;H01L21/285;H01L21/363
• 代理公司: 成都超凡明遠知識產權代理有限公司 51258
• 代理人: 董雅會

1.一種成膜方法，使用多個旋轉靶中的至少3個以上的旋轉靶對基板進行濺射成膜，所述旋轉靶具有中心軸和靶面，并在內部具備能夠繞所述中心軸旋轉的磁鐵，其中，

所述多個旋轉靶配置為，所述中心軸相互平行，并且所述中心軸與所述基板平行，

一邊對所述多個旋轉靶通電，一邊使所述多個旋轉靶各自的所述磁鐵繞所述中心軸在具有到所述基板最近的A點的圓弧上移動，一邊對所述基板進行濺射成膜，

所述多個旋轉靶內的至少配置在兩端的一對旋轉靶的所述磁鐵，在所述圓弧上在比所述A點更遠離所述基板的中心的區域進行成膜的時間，短于在比所述A點更靠近所述基板的中心的區域進行成膜的時間。

2.根據權利要求1所述的成膜方法，其中，

在將所述A點的所述磁鐵的角度設為0度，將從所述0度向逆時針的方向設為負角度，向順時針的方向設為正角度的情況下，

所述一對旋轉靶的所述磁鐵在從20度到90度的范圍的任一角度的位置與從-20度到-90度的范圍的任一角度的位置之間旋轉移動。

3.根據權利要求1或2所述的成膜方法，其中，

配置在所述兩端的一對旋轉靶中的一個旋轉靶從比所述圓弧上的所述A點更靠近所述基板的中心的區域開始進行成膜，

配置在所述兩端的一對旋轉靶中的另一個旋轉靶從比所述圓弧上的所述A點更遠離所述基板的中心的區域開始進行成膜。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的成膜方法，其中，

在配置在所述兩端的一對旋轉靶的所述磁鐵的移動中，在比所述圓弧上的所述A點更遠離所述基板的中心的區域移動的平均的角速度，快于在比所述A點更靠近所述基板的中心的區域移動的平均的角速度。