[實用新型]金剛石合成用斜外擴鉬環有效
| 申請號: | 202122805987.2 | 申請日: | 2021-11-16 |
| 公開(公告)號: | CN216321767U | 公開(公告)日: | 2022-04-19 |
| 發明(設計)人: | 張能健;陳濤;楊張泉;姚朝增;楊雄 | 申請(專利權)人: | 福建鑫德晶新材料科技有限公司 |
| 主分類號: | B01J3/06 | 分類號: | B01J3/06 |
| 代理公司: | 福州旭辰知識產權代理事務所(普通合伙) 35233 | 代理人: | 盧麗花 |
| 地址: | 350200 福建省福州市長樂市文武*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 金剛石 合成 用斜外擴鉬環 | ||
本實用新型提供了金剛石合成用斜外擴鉬環,包括一鉬片,所述鉬片的上端面環形陣列開設有若干個螺紋孔,所述鉬片的中心開設有放置通孔,所述鉬片的上端面設置有與所述放置通孔相配合的鉬環,所述鉬環的內側面開設有斜角A;本實用新型結構簡單,操作便捷,能夠便于金剛石種晶均勻的生長。
技術領域
本實用新型涉及金剛石合成技術領域,特別是金剛石合成用斜外擴鉬環。
背景技術
合成金剛石是通過用人工增強增壓的方法,使石墨或其他碳原子物質的結構發生轉變而形成的金剛石。其性能與天然金剛石類似。合成金剛石的方法多達十幾種。按合成技術的特點可分為靜態超高壓法、動態超高壓高溫法和低壓高溫法。按晶體生成的特點可分為直接法、熔媒法和外延法。
在合成金剛石時,需要將種晶放置在氣相沉積爐內的鉬片上進行沉積生長,氣相沉積爐會在種晶的上方以微波激發等離子體,由于微波放電的“邊緣效應”,種晶棱角所接收熱輻射大于面中心,最終會導致種晶生長不均勻,且在沉積時鉬片受熱不均勻,鉬片的內外圈具有溫度差,會導致鉬片上的種晶生長不一致。
發明內容
有鑒于此,本實用新型的目的是提供金剛石合成用斜外擴鉬環,能夠解決上述背景技術的問題。
本實用新型采用以下方法來實現:金剛石合成用斜外擴鉬環,其特征在于:包括一鉬片,所述鉬片的上端面環形陣列開設有若干個螺紋孔,所述鉬片的中心開設有放置通孔,所述鉬片的上端面設置有與所述放置通孔相配合的鉬環,所述鉬環的內側面開設有斜角A。
進一步的,所述鉬片的直徑為Φ1,所述Φ1為89mm。
進一步的,所述鉬環的外直徑為Φ2,所述Φ2為60mm。
進一步的,所述鉬環和所述鉬片的高度均為H,所述H為5mm,所述鉬片的下端面至所述鉬環的上端面距離為L,所述L為10mm.
進一步的,所述斜角A的區間為30°-60°。
進一步的,所述螺紋孔的數量為6個。
進一步的,所述通孔的直徑為Φ3,所述Φ3為50mm。
本實用新型的有益效果在于:本實用新型在裝置中加入了鉬環,能通過鉬環上的斜角來調節等離子球,使鉬片上方等離子球更加扁平,提高鉬片上方等離子體均勻性,有利于放置通孔內的金剛石種晶均勻的生長;在裝置中加入了斜角,斜角能夠使得放置在放置通孔內的鉬片底座上端棱角暴露出來,使得鉬片底座的棱角能夠吸收輝光,縮小鉬片底座內外圈的溫差,有利于金剛石種晶的生長;在裝置中加入了螺紋孔,能夠通過螺紋孔與螺栓進行連接將鉬片進行鎖緊固定,提高鉬片的穩定性,有利于金剛石種晶的生長;本實用新型結構簡單,操作便捷,能夠便于金剛石種晶均勻的生長。
附圖說明
圖1為本實用新型結構示意圖。
圖2為B-B方向的剖視圖。
圖3為為本實用新型工作狀態圖。
具體實施方式
下面結合附圖對本實用新型做進一步說明。
請參閱圖1至圖3所示,本實用新型提供了一實施例,金剛石合成用斜外擴鉬環,包括一鉬片1,所述鉬片1的上端面環形陣列開設有若干個螺紋孔2,通過螺紋孔2上螺旋嵌設螺栓將鉬片1鎖緊固定在氣相沉積爐內的底座上,通過所述鉬片1的中心開設有放置通孔3,將鉬片底座5放置在放置通孔3內,再將金剛石種晶放置在鉬片底座5上,所述鉬片1的上端面設置有與所述放置通孔3相配合的鉬環4,所述鉬環4的內側面開設有斜角A,當氣相沉積爐開始工作時,鉬片底座5上方的等離子球在斜角的作用下等離子球更加扁平,提高鉬片底座5上方等離子體的均勻性,斜角也能夠使得放置在放置通孔3內的鉬片底座5上端棱角暴露出來,使得鉬片底座5的棱角能夠吸收輝光,縮小鉬片底座5內外圈的溫差,有利于金剛石種晶在鉬片底座5上均勻的生長。
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