[實用新型]基板處理裝置用遮蔽件

有效

• 申請號: 202122181133.1
• 申請日: 2021-09-09
• 公開（公告）號: CN215869283U
• 公開（公告）日: 2022-02-18
• 發明（設計）人: 森田慎也;中嶋誠世;村田慧
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;C23C16/54;C23C16/50;C23C16/458;H01L21/67
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 陳偉;劉偉志

本實用新型提供一種基板處理裝置用遮蔽件，設置于基板處理裝置的反應管的底部，防止從緩沖室供給的等離子體沿著相反側的反應管的內表面向下流動而被排氣，由此，能夠改善晶舟的上下的基板處理的均勻性，并且，遮蔽加熱器的輻射熱，抑制與爐口部空間之間的氣體的出入，能夠提高爐口部的隔熱性。該基板處理裝置用遮蔽件具備：圓弧狀的底板；從上述底板直立的多個支柱；以及由上述多個支柱沿垂直方向以多層支承的圓弧狀的多個隔斷板。

技術領域

本實用新型涉及一種在基板處理裝置中使用的遮蔽件。

背景技術

半導體器件制造工序之一是成膜工序，通過利用了等離子體的CVD(ChemicalVapor Deposition)法或ALD(Atomic Layer Deposition)法在基板上堆積規定的薄膜。

但是，在基板處理裝置中，從緩沖室供給的等離子體會沿著相反側的反應管的內表面向下流動而被排氣。由此，在晶舟的上下，基板處理變得不均勻。而且，爐口部的隔熱性也需進一步改善。

實用新型內容

本實用新型的主要目的在于提供一種基板處理裝置用遮蔽件，用于改善晶舟上下的基板處理的均勻性、以及爐口部的隔熱性。

為了實現上述目的中的至少一個，本實用新型提供一種基板處理裝置用遮蔽件，具備：圓弧狀的底板；從所述底板直立的多個支柱；以及由所述多個支柱沿垂直方向以多層支承的圓弧狀的多個隔斷板。

實用新型效果

根據本實用新型的基板處理裝置用遮蔽件，防止從緩沖室供給的等離子體沿著相反側的反應管的內表面向下流動而被排氣，從而在晶舟的上下，基板處理的均勻性得到改善，并且，遮蔽加熱器的輻射熱，抑制與爐口部空間之間的氣體的出入，能夠提高爐口部的隔熱性。

附圖說明

圖1是以縱截面來表示作為基板處理裝置的一例的遠程等離子體處理裝置所使用的處理爐部分的圖。

圖2是以橫截面來表示圖1所示的處理爐的圖。

圖3是本實用新型的基板處理裝置用遮蔽件的立體圖。

圖4是本實用新型的基板處理裝置用遮蔽件的側視圖。

圖5是本實用新型的基板處理裝置用遮蔽件的俯視圖。

圖6是本實用新型的基板處理裝置用遮蔽件的仰視圖。

圖7是本實用新型的基板處理裝置用遮蔽件的后視圖。

附圖標記說明

202：處理爐，207：加熱器，200：晶圓，203：反應管，219：密封蓋，220：氣密部件，201：處理室，217：晶舟，218：晶舟支承臺，310、320、330：氣體供給管，410、420、430：噴管，423、433：緩沖室，451、452、461、462：電極保護管，424、434：緩沖室壁，425、435：氣體供給孔，471、472、481、482：棒狀電極，271：匹配器，270：高頻電源，230：排氣口，231：排氣管，10：遮蔽件，11：底板，12：支柱，13：隔斷板，14：螺紋孔，15：切缺口。

具體實施方式

以下，使用附圖說明用于實施本實用新型的具體方式。為了便于理解，存在附圖中的部件與實際樣態相比，比例不一致或示意表示的情況，也存在附圖彼此之間的同一部件的比例不一致的情況。

首先，參照圖1、圖2來說明在遠程等離子體處理裝置(以下稱為基板處理裝置)中所使用的處理爐202。如圖1以及圖2所示，在處理爐202上，設有作為用于加熱晶圓200的加熱裝置(加熱機構)的加熱器207。加熱器207具有上方封閉的圓筒形狀的隔熱部件和多根加熱線。在加熱器207的內側，與加熱器207為同心圓狀地設有用于處理晶圓200的石英制的反應管203。