[實(shí)用新型]一種利用FET電路制作的音頻電子開關(guān)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202120996200.2 | 申請(qǐng)日: | 2021-05-11 |
| 公開(公告)號(hào): | CN215010203U | 公開(公告)日: | 2021-12-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 崔燚;寧永香;崔建峰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 山西工程技術(shù)學(xué)院;崔建國(guó) |
| 主分類號(hào): | H03K17/687 | 分類號(hào): | H03K17/687 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 045000 *** | 國(guó)省代碼: | 山西;14 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 利用 fet 電路 制作 音頻 電子 開關(guān) | ||
本實(shí)用新型公開了一種利用FET電路制作的音頻電子開關(guān),包括選通信號(hào)產(chǎn)生電路、選通信號(hào)限流電路、閘極電壓產(chǎn)生電路、JFET管直流通路產(chǎn)生電路、JFET開關(guān)電路、輸入信號(hào)電路、輸出信號(hào)電路以及+5V、?15V非對(duì)稱供電電路,選通信號(hào)CON進(jìn)入74LS00的輸入端,74LS00的輸出端通過電阻R1連接晶體管Q1的基極,+5V通過電阻R3連接Q1的發(fā)射極,Q1的發(fā)射極通過電阻R5連接地,Q1的集電極通過電阻R4連接?15V,Q1的集電極同時(shí)通過電阻R2連接地,Q1的集電極同時(shí)連接場(chǎng)效應(yīng)管Q2的柵極,輸入信號(hào)IN通過R6連接Q2的漏極,Q2的源極連接工作地,由Q2的漏極得到輸出信號(hào)OUT。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種設(shè)計(jì)制作音頻電子開關(guān)的技術(shù),尤其一種利用場(chǎng)效應(yīng)管制作的電子開關(guān),其數(shù)字信號(hào)、模擬信號(hào)皆可以傳輸,且模擬信號(hào)頻率上限比傳統(tǒng)電子開關(guān)要高得多。
背景技術(shù)
晶體管三極管(BJT)之所以稱為雙極性晶體管,是因?yàn)槠涠鄶?shù)載流子和少數(shù)載流子皆參與導(dǎo)電;場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管,僅由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,故稱為單極型晶體管,它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,是根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件,有3個(gè)極:柵極,漏極,源極,它的特點(diǎn)是柵極的內(nèi)阻極高,采用二氧化硅材料的可以達(dá)到幾百兆歐。
場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大電路,還可以用作電子開關(guān),傳統(tǒng)意義上的電子開關(guān)是一種三穩(wěn)態(tài)電路,又稱為模擬開關(guān),以區(qū)別于機(jī)械開關(guān)。
它可以根據(jù)選通端的電平,決定輸人端與輸出端的狀態(tài)。當(dāng)選通端處在選通狀態(tài)時(shí),輸出端的狀態(tài)取決于輸人端的狀態(tài);當(dāng)選通端處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí),則不管輸人端電平如何,輸出端都呈高阻狀態(tài)。
模擬開關(guān)在電子設(shè)備中主要起接通信號(hào)或斷開信號(hào)的作用。由于模擬開關(guān)具有功耗低、速度快、無機(jī)械觸點(diǎn)、體積小和使用壽命長(zhǎng)等特點(diǎn),因而,在自動(dòng)控制系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)中得到了廣泛應(yīng)用。
CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體,場(chǎng)效應(yīng)管一種)模擬開關(guān)集成電路比如CD4066,通常用于傳輸數(shù)字信號(hào),雖然也可以傳輸模擬信號(hào),但傳輸?shù)哪M信號(hào)的上限頻率為 40MHz。且其傳輸模擬信號(hào)如音頻信號(hào)時(shí),非線性失真可能較大,建議用專用的模擬開關(guān)。
利用場(chǎng)效應(yīng)晶體管制作一種簡(jiǎn)單的音頻電子開關(guān),其數(shù)字信號(hào)、模擬信號(hào)皆可以傳輸,且模擬信號(hào)頻率上限比4066要高得多。
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、造價(jià)低廉、使用可靠的利用FET電路制作的音頻電子開關(guān)的技術(shù)
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型提供一種利用FET電路制作的音頻電子開關(guān),其包括選通信號(hào)產(chǎn)生電路、選通信號(hào)限流電路、閘極電壓產(chǎn)生電路、JFET管直流通路產(chǎn)生電路、JFET開關(guān)電路、輸入信號(hào)電路、輸出信號(hào)電路以及+5V、-15V非對(duì)稱供電電路,所述選通信號(hào)產(chǎn)生電路由與非門74LS00組成,74LS00兩個(gè)輸入端短接,選通信號(hào)CON進(jìn)入與非門74LS00的輸入端,所述閘極電壓產(chǎn)生電路由所述+5V、-15V非對(duì)稱供電電路以及晶體管Q1、電阻R3、R4、R5組成,74LS00的輸出端通過所述選通信號(hào)限流電路電阻R1連接晶體管Q1的基極,+5V電源通過電阻R3連接晶體管Q1的發(fā)射極,晶體管Q1的發(fā)射極通過電阻R5連接工作地,晶體管Q1的集電極通過電阻R4連接-15V電源,晶體管Q1的集電極同時(shí)通過所述JFET管直流通路產(chǎn)生電路電阻R2連接工作地,晶體管Q1的集電極同時(shí)連接所述JFET開關(guān)電路場(chǎng)效應(yīng)管Q2的柵極,所述輸入信號(hào)電路IN通過電阻R6連接Q2的漏極D,Q2的源極S連接工作地,Q2的漏極D構(gòu)成所述輸出信號(hào)電路,由Q2的漏極D得到輸出信號(hào)OUT。
附圖說明
附圖1、附圖2用來提供對(duì)本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解,構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分,附圖1是傳統(tǒng)模擬開關(guān)的電路組成;附圖2是基于FET的音頻電子開關(guān)原理圖。
具體實(shí)施方式
傳統(tǒng)模擬開關(guān)的電路組成及工作原理
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