[實用新型]一種遮罩結構有效
| 申請號: | 202120478525.1 | 申請日: | 2021-03-05 |
| 公開(公告)號: | CN214428651U | 公開(公告)日: | 2021-10-19 |
| 發明(設計)人: | 溫質康;喬小平;蘇智昱 | 申請(專利權)人: | 福建華佳彩有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/56 | 分類號: | H01L51/56;H01L51/52;C23C14/04;C23C14/12;C23C14/24;H01L27/32 |
| 代理公司: | 福州市景弘專利代理事務所(普通合伙) 35219 | 代理人: | 林祥翔;徐劍兵 |
| 地址: | 351100 福*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 結構 | ||
1.一種遮罩結構,其特征在于,包括第一掩膜框、第二掩膜框和非鏤空區域;
所述第一掩膜框圍繞所述非鏤空區域,所述第一掩膜框和所述非鏤空區域具有間隔,所述第一掩膜框和所述非鏤空區域之間的間隔為鏤空區域;
所述第二掩膜框設置在所述第一掩膜框的頂部和所述非鏤空區域的頂部上,所述第二掩膜框圍繞所述非鏤空區域,所述第二掩膜框上設置開孔,所述開孔位于鏤空區域的上方,所述開孔用于作為薄膜材料沉積的通道。
2.根據權利要求1所述的一種遮罩結構,其特征在于,所述第二掩膜框呈現倒“凹”字形的形狀,所述開孔設置在倒“凹”字形的第二掩膜框中間的頂部。
3.根據權利要求1所述的一種遮罩結構,其特征在于,所述非鏤空區域的底部位于所述第一掩膜框的底部和所述第一掩膜框的頂部之間,所述第一掩膜框的底部內側壁用于圍繞襯底上的發光器件外側壁。
4.根據權利要求3所述的一種遮罩結構,其特征在于,所述非鏤空區域的厚度在0.1毫米以上,在0.3毫米以下;或者:
所述第一掩膜框的厚度在3毫米以上,在5毫米以下。
5.根據權利要求1所述的一種遮罩結構,其特征在于,所述開孔為多個,多個的開孔沿著非鏤空區域設置。
6.根據權利要求1所述的一種遮罩結構,其特征在于,所述第一掩膜框為矩形的框架,所述非鏤空區域的形狀為矩形。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





