[實用新型]電磁屏蔽膜及線路板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202120369210.3 | 申請日： | 2021-02-09 |
| 公開（公告）號： | CN214627860U | 公開（公告）日： | 2021-11-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 蘇陟;張美娟;朱海萍 | 申請（專利權(quán)）人： | 廣州方邦電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H05K9/00 | 分類號： | H05K9/00;H05K1/02 |
| 代理公司： | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202 | 代理人： | 麥小嬋;郝傳鑫 |
| 地址： | 510530 廣東省廣州市廣州高*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電磁 屏蔽 線路板 | ||
本實用新型涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種電磁屏蔽膜及線路板，其中，所述電磁屏蔽膜包括載體層、絕緣層及屏蔽層；所述載體層設(shè)于所述絕緣層的一面上，所述屏蔽層設(shè)于所述絕緣層的遠(yuǎn)離所述載體層的一面上；所述載體層的靠近所述絕緣層的一面的粗糙度Sz為0.5?20微米。本實用新型能夠提高電磁屏蔽膜的載體層與絕緣層之間的接著強(qiáng)度，避免在彎折電磁屏蔽膜時容易使得載體層與絕緣層之間出現(xiàn)分層的現(xiàn)象。
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種電磁屏蔽膜及線路板。
背景技術(shù)
隨著電子工業(yè)的迅速發(fā)展，電子產(chǎn)品進(jìn)一步向小型化，輕量化，組裝高密度化發(fā)展，極大地推動撓性電路板的發(fā)展，從而實現(xiàn)元件裝置和導(dǎo)線連接一體化。撓性電路板可廣泛應(yīng)用于手機(jī)、液晶顯示、通信和航天等行業(yè)。
在國際市場的推動下，功能撓性電路板在撓性電路板市場中占主導(dǎo)地位，而評價功能撓性電路板性能的一項重要指標(biāo)是電磁屏蔽(Electromagnetic InterferenceShielding，簡稱EMI Shielding)。隨著手機(jī)等通訊設(shè)備功能的整合，其內(nèi)部組件急劇高頻高速化。例如：手機(jī)功能除了原有的音頻傳播功能外，照相功能已成為必要功能，且WLAN(Wireless Local Area Networks，無線局域網(wǎng))、GPS(Global Positioning System，全球定位系統(tǒng))以及上網(wǎng)功能已普及，再加上未來的感測組件的整合，組件急劇高頻高速化的趨勢更加不可避免。在高頻及高速化的驅(qū)動下所引發(fā)的組件內(nèi)部及外部的電磁干擾、信號在傳輸中衰減以及插入損耗和抖動問題逐漸嚴(yán)重。
目前，現(xiàn)有線路板常用的電磁屏蔽膜包括載體層、絕緣層、屏蔽層，在使用時需要將電磁屏蔽膜與線路板高溫壓合，熱壓完成后再將載體層撕離，使得屏蔽層與線路板的地層電連接，進(jìn)而將干擾電荷導(dǎo)入線路板的地層，從而實現(xiàn)屏蔽。
本實用新型人在實施本實用新型的過程中發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有技術(shù)中存在以下技術(shù)問題：現(xiàn)有的電磁屏蔽膜的載體層與絕緣層之間的接著強(qiáng)度較差，在彎折電磁屏蔽膜時，容易使得載體層與絕緣層之間出現(xiàn)分層的現(xiàn)象。
實用新型內(nèi)容
針對上述問題，本實用新型的目的在于提供一種電磁屏蔽膜及線路板，能夠提高電磁屏蔽膜的載體層與絕緣層之間的接著強(qiáng)度，避免在彎折電磁屏蔽膜時容易使得載體層與絕緣層之間出現(xiàn)分層的現(xiàn)象。
為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型一實施例提供了一種電磁屏蔽膜，包括載體層、絕緣層及屏蔽層；
所述載體層設(shè)于所述絕緣層的一面上，所述屏蔽層設(shè)于所述絕緣層的遠(yuǎn)離所述載體層的一面上；
所述載體層的靠近所述絕緣層的一面的粗糙度Sz為0.5-20微米。
作為上述方案的改進(jìn)，所述載體層的靠近所述絕緣層的一面的粗糙度Sz為5.2-14.6微米。
作為上述方案的改進(jìn)，所述載體層的厚度為7-150微米。
作為上述方案的改進(jìn)，所述絕緣層的靠近所述載體層的一面的粗糙度Sz為1-16微米。
作為上述方案的改進(jìn)，所述絕緣層的靠近所述載體層的一面的粗糙度Rz為1-15微米。
作為上述方案的改進(jìn)，所述電磁屏蔽膜還包括膠膜層；所述膠膜層設(shè)于所述屏蔽層的遠(yuǎn)離所述絕緣層的一面上。
作為上述方案的改進(jìn)，所述屏蔽層的靠近所述膠膜層的一面上設(shè)有導(dǎo)電凸起。
作為上述方案的改進(jìn)，所述載體層的靠近所述絕緣層的一面的粗糙度Sz與所述絕緣層的厚度的比例為0.375-3.6。
作為上述方案的改進(jìn)，所述屏蔽層上設(shè)有貫穿其上下表面的通孔。
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