[發(fā)明專利]發(fā)光模組和顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111664607.6 | 申請日: | 2021-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN114300505A | 公開(公告)日: | 2022-04-08 |
| 發(fā)明(設計)人: | 劉冰萍;李俊誼 | 申請(專利權)人: | 廈門天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;G09F9/33 |
| 代理公司: | 北京匯思誠業(yè)知識產(chǎn)權代理有限公司 11444 | 代理人: | 李曉霞 |
| 地址: | 361101 福建*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發(fā)光 模組 顯示裝置 | ||
本發(fā)明實施例提供一種發(fā)光模組和顯示裝置。發(fā)光模組包括:驅動基板,驅動基板包括襯底和位于襯底一側的驅動層,驅動層包括多個薄膜晶體管,襯底為一體結構;位于驅動層遠離襯底一側的m行n列的單元結構,m和n均為正整數(shù),且m和n不同時為1,單元結構包括多個發(fā)光器件;各單元結構之間獨立驅動;驅動芯片,一個單元結構對應至少一個驅動芯片。本發(fā)明能夠降低制作成本,減小相鄰的單元結構之間的顯示暗區(qū),弱化顯示拼接界限、提升整體的顯示效果。
技術領域
本發(fā)明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種發(fā)光模組和顯示裝置。
背景技術
目前顯示領域有normal LCD(Liquid Crystal Display,液晶顯示器)、mini LED(light-emitting diode,發(fā)光二極管)、OLED(Organic Light-Emitting Diode,有機發(fā)光二極管)等顯示技術,而Mini LED LCD的對比度遠優(yōu)于normal LCD,而壽命價格也優(yōu)于OLED,所以Mini LED LCD的市場需求越來越多。
mini LED能夠應用于大屏顯示,作為背光或者顯示面板使用。而現(xiàn)有的Mini LED實現(xiàn)大屏化的方式是采用PCB作為LED的襯底基板,采用Cu作為驅動金屬走線,LED的襯底基板工藝成本較高。
發(fā)明內容
本發(fā)明實施例提供一種發(fā)光模組和顯示裝置,以解決現(xiàn)有技術中mini LED能夠應用于大屏顯示時襯底基板工藝成本高的問題。
第一方面,本發(fā)明實施例提供一種發(fā)光模組,發(fā)光模組包括:
驅動基板,驅動基板包括襯底和位于襯底一側的驅動層,驅動層包括多個薄膜晶體管,襯底為一體結構;
位于驅動層遠離襯底一側的m行n列的單元結構,m和n均為正整數(shù),且m和n不同時為1,單元結構包括多個發(fā)光器件;各單元結構之間獨立驅動;
驅動芯片,一個單元結構對應至少一個驅動芯片。
第二方面,本發(fā)明實施例提供一種顯示裝置,包括本發(fā)明任意實施例提供的發(fā)光模組。
本發(fā)明實施例提供的發(fā)光模組和顯示裝置,具有如下有益效果:采用包括薄膜晶體管的驅動基板來驅動發(fā)光器件進行工作,與現(xiàn)有技術中采用PCB作為承載發(fā)光器件的襯底基板相比,能夠降低成本。而且驅動基板中的襯底為一體結構,驅動層中與各單元結構分別相對應的部分也一起制作。將m行n列的能夠相互獨立驅動的單元結構制作在同一個驅動基板之上,相當于將m行n列的小尺寸發(fā)光結構拼成一整個大尺寸的發(fā)光結構。而在相鄰的單元結構對應的驅動層之間沒有物理性的拼接縫隙,有利于發(fā)光模組的機械穩(wěn)定性。而且還能夠減小相鄰的單元結構之間的顯示暗區(qū),弱化顯示拼接界限。發(fā)光模組作為液晶顯示中的背光進行應用時,能夠為液晶面板提供亮度相對均勻的背光,保證顯示畫面亮度均一性。發(fā)光模組作為顯示面板應用時,每個單元結構分別獨立顯示完整畫面中的局部畫面,能夠弱化單元結構相互拼接位置處畫面過渡界限,提升整體的顯示效果。另外,本發(fā)明中每個單元結構由各自對應的驅動芯片進行驅動,則每個單元結構對應的由驅動芯片引出的信號線的長度不會過長,信號線上的阻抗較小,能夠減小信號線上的阻抗,降低功耗。而且各單元結構的亮度能夠獨立調節(jié),能夠實現(xiàn)分區(qū)調光,從而降低功耗。
附圖說明
為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案,下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實施例,對于本領域技術人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為本發(fā)明實施例提供的一種發(fā)光模組示意圖;
圖2為圖1中切線A-A′位置處一種截面示意圖;
圖3為本發(fā)明實施例提供的另一種發(fā)光模組示意圖;
圖4為本發(fā)明實施例提供的另一種發(fā)光模組局部示意圖;
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- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





